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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FFSD0865A

FFSD0865A

DIODE SIL CARBIDE 650V 15A DPAK

onsemi

2,500 -
FFSD0865A

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz 15A - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
1N486B

1N486B

DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

onsemi

14,945 -
1N486B

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 250 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 nA @ 225 V - 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C
RHRG5060

RHRG5060

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

1,778 -
RHRG5060

数据表

- TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 250 µA @ 600 V - 50A - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
FFSPF0865A

FFSPF0865A

DIODE SIC 650V 8A TO220F-2FS

onsemi

915 -
FFSPF0865A

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz 8A - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
FFSPF1065A

FFSPF1065A

DIODE SIC 650V 10A TO220F-2FS

onsemi

930 -
FFSPF1065A

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz 10A - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
FFH75H60S

FFH75H60S

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247-2

onsemi

1,196 -
FFH75H60S

数据表

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 100 µA @ 600 V - 75A - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
PCFFS4065AF

PCFFS4065AF

DIODE SIL CARBIDE 650V 40A DIE

onsemi

1,364 -
PCFFS4065AF

数据表

- Die Tray Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1989pf @ 1V, 100kHz 40A - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C
FFSM0865A

FFSM0865A

DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN

onsemi

3,000 -
FFSM0865A

数据表

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz 9.6A - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB1265A

FFSB1265A

DIODE SIL CARB 650V 14A D2PAK-3

onsemi

670 -
FFSB1265A

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz 14A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -65°C ~ 175°C
PCFF75H60F

PCFF75H60F

RECTIFIER WAFER DIE

onsemi

2,240 -
PCFF75H60F

数据表

- - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
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