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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NTSB30U100CT-1G

NTSB30U100CT-1G

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 2 ELE

onsemi

1,500 -
NTSB30U100CT-1G

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
MBRB30H80CT-1G

MBRB30H80CT-1G

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA

onsemi

1,200 -
MBRB30H80CT-1G

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SBRS8190NT3G-IR02

SBRS8190NT3G-IR02

DIODE SCHOTTKY 90V 2A SMB

onsemi

5,000 -
SBRS8190NT3G-IR02

数据表

- DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active Schottky 90 V 750 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 90 V - 2A Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMB -65°C ~ 175°C
SBR50-16JS

SBR50-16JS

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA

onsemi

2,748 -
SBR50-16JS

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FFAF30UA60S

FFAF30UA60S

30 A, 600 V, UITRAFAST II SINGLE

onsemi

10,290 -
FFAF30UA60S

数据表

- TO-3P-3 Full Pack Bulk Active Standard 600 V 2.2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 100 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-3PF-3 -65°C ~ 175°C
PCFFS08120AF

PCFFS08120AF

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 20A DIE

onsemi

7,731 -
PCFFS08120AF

数据表

- Die Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.723 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V - 20A - - Surface Mount Die 175°C (Max)
FFSH20120A

FFSH20120A

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

onsemi

900 -
FFSH20120A

数据表

- TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz 30A - - Through Hole TO-247-2 -
1N459

1N459

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

onsemi

30,000 -
1N459

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 200 V 1 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 nA @ 175 V 6pF @ 0V, 1MHz 500mA - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
MUR120G

MUR120G

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

onsemi

795 -
MUR120G

数据表

SWITCHMODE™ DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 200 V 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 2 µA @ 200 V - 1A - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
ES2C

ES2C

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

onsemi

141 -
ES2C

数据表

- DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 900 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 10 µA @ 150 V 18pF @ 4V, 1MHz 2A - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -55°C ~ 150°C
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