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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NSR10404NXT5G

NSR10404NXT5G

DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN

onsemi

70,000 -
NSR10404NXT5G

数据表

- 0402 (1006 Metric) Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 40 µA @ 40 V 50pF @ 2V, 1MHz 1A - - Surface Mount 2-DSN (1x0.6), (0402) 150°C
SB10-04A3-BT

SB10-04A3-BT

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41

onsemi

48,000 -
SB10-04A3-BT

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 40 V 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 800 µA @ 40 V 45pF @ 10V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 125°C (Max)
NRVHPAF220T3G

NRVHPAF220T3G

PUF 2A 200V IN SMAFL

onsemi

5,000 -
NRVHPAF220T3G

数据表

- DO-221AC, SMA Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 200 V - 2A - - Surface Mount SMA-FL -65°C ~ 175°C
DWC010-TE-E

DWC010-TE-E

DWC010 - SILICON EPITAXIAL PLANA

onsemi

9,000 -
DWC010-TE-E

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RD0106T-H

RD0106T-H

DIODE GEN PURP 600V 1A TP

onsemi

13,000 -
RD0106T-H

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active Standard 600 V 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - 1A - - Through Hole TP 150°C (Max)
EGP20KTA

EGP20KTA

DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

onsemi

8,000 -
EGP20KTA

数据表

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 800 V 1.7 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 800 V 45pF @ 4V, 1MHz 2A - - Through Hole DO-15 -65°C ~ 150°C
SBRD8320G-VF01

SBRD8320G-VF01

Rectifier Diode, Schottky, 1 Pha

onsemi

7,575 -
SBRD8320G-VF01

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete Schottky 20 V 600 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 20 V - 3A Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK -65°C ~ 175°C
NTSV20U80CTG

NTSV20U80CTG

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA

onsemi

2,950 -
NTSV20U80CTG

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
SURA8105T3G-VF01

SURA8105T3G-VF01

SURA8105 - AUTO STANDARD OF MURA

onsemi

2,750 -
SURA8105T3G-VF01

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RURU10060

RURU10060

DIODE GEN PURP 600V 100A TO218

onsemi

8,602 -
RURU10060

数据表

- TO-218-1 Tube Obsolete Standard 600 V 1.6 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 250 µA @ 600 V - 100A - - Through Hole TO-218 -65°C ~ 175°C
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