onsemi|单个二极管 - 页 109

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	电压 - 直流反向 (Vr)（最大值）	电压 - 正向 (Vf)（最大值）@ If	速度	反向恢复时间 (trr)	电流 - 反向漏电 @ Vr	电容 @ Vr, F	电流 - 平均整流（Io）	等级	认证	安装类型	供应商设备封装	工作温度 - 结点
NRVB440MFSWFT1G DIODE SCHOTTKY 40V 4A 5DFN onsemi	256	-	询价单	数据表	-	8-PowerTDFN, 5 Leads	Tape & Reel (TR)	Active	Schottky	40 V	650 mV @ 4 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	800 µA @ 40 V	-	4A	-	-	Surface Mount	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-55°C ~ 175°C
FFSP0865B DIODE SIL CARB 650V 10.1A TO220 onsemi	61	-	询价单	数据表	-	TO-220-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	1.7 V @ 8 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	40 µA @ 650 V	336pF @ 1V, 100kHz	10.1A	-	-	Through Hole	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
PCFFS15120AF DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 15A DIE onsemi	5,009	-	询价单	数据表	-	Die	Tray	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1.723 V @ 15 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	-	15A	-	-	Surface Mount	Die	175°C (Max)
SMBT1587T1G DIODE STD REC SOT223 onsemi	1,000	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FFSH2065B-F155 650V 20A SIC SBD GEN 1.5 onsemi	95	-	询价单	数据表	-	TO-247-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	1.7 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	40 µA @ 650 V	866pF @ 1V, 100kHz	22.3A	-	-	Through Hole	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
FFSB10120A DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK-3 onsemi	80	-	询价单	数据表	-	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB	Tape & Reel (TR)	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1.75 V @ 10 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	612pF @ 1V, 100kHz	21A	-	-	Surface Mount	TO-263 (D2PAK)	-55°C ~ 175°C
PCFFS40120AF DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE onsemi	2,472	-	询价单	数据表	-	Die	Tray	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1.75 V @ 40 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	2250pf @ 1V, 100kHz	61A	-	-	Surface Mount	Die	-55°C ~ 175°C
NVDSH50120C DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2 onsemi	40	-	询价单	数据表	-	TO-247-2	Tube	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1.75 V @ 50 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	3691pF @ 1V, 100kHz	53A	Automotive	AEC-Q101	Through Hole	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
PCFFS20120AF DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 20A DIE onsemi	2,615	-	询价单	数据表	-	Die	Tray	Active	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1.723 V @ 20 A	No Recovery Time > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	-	20A	-	-	Surface Mount	Die	175°C (Max)
MURD330T4G DIODE GEN PURP 300V 3A DPAK onsemi	5,342	-	询价单	数据表	SWITCHMODE™	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Standard	300 V	1.15 V @ 3 A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	50 ns	5 µA @ 300 V	-	3A	-	-	Surface Mount	DPAK	-55°C ~ 175°C

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