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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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BAS70,235

BAS70,235

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23

NXP USA Inc.

250,000 -
BAS70,235

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Schottky 70 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 70 V 2pF @ 0V, 1MHz 70mA - - Surface Mount SOT-23 150°C (Max)
BAS21/MI,235

BAS21/MI,235

BAS21 - HIGH-VOLTAGE SWITCHING D

NXP USA Inc.

160,000 -
BAS21/MI,235

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1PS70SB40,115

1PS70SB40,115

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT323

NXP Semiconductors

410,000 -
1PS70SB40,115

数据表

- SC-70, SOT-323 Bulk Active Schottky 40 V 1 V @ 40 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 40 V 5pF @ 0V, 1MHz 120mA - - Surface Mount SOT-323 150°C (Max)
BAV102,115

BAV102,115

DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

NXP Semiconductors

40,000 -
BAV102,115

数据表

- DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 150 V 1.25 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 nA @ 150 V 5pF @ 0V, 1MHz 250mA - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 175°C (Max)
PMEG6010ESBC,315

PMEG6010ESBC,315

NEXPERIA PMEG6010ESBC - RECTIFIE

NXP Semiconductors

30,000 -
PMEG6010ESBC,315

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
PMEG4002ESFYL

PMEG4002ESFYL

DIODE SCHOTT 40V 200MA DSN0603-2

NXP Semiconductors

1,062,000 -
PMEG4002ESFYL

数据表

- 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 40 V 600 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.28 ns 6.5 µA @ 40 V 17pF @ 1V, 1MHz 200mA - - Surface Mount DSN0603-2 150°C (Max)
PMEG3002ESFYL

PMEG3002ESFYL

DIODE SCHOTT 30V 200MA DSN0603-2

NXP USA Inc.

18,000 -
PMEG3002ESFYL

数据表

- 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 30 V 535 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.42 ns 9 µA @ 30 V 21pF @ 1V, 1MHz 200mA - - Surface Mount DSN0603-2 150°C (Max)
1PS70SB20,115

1PS70SB20,115

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT323

NXP Semiconductors

8,750 -
1PS70SB20,115

数据表

- SC-70, SOT-323 Bulk Active Schottky 40 V 550 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 35 V 90pF @ 0V, 1MHz 500mA - - Surface Mount SOT-323 125°C (Max)
PMEG3010BEV,115

PMEG3010BEV,115

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOT666

NXP Semiconductors

104,000 -
PMEG3010BEV,115

数据表

- SOT-563, SOT-666 Bulk Active Schottky 30 V 560 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 30 V 70pF @ 1V, 1MHz 1A - - Surface Mount SOT-666 150°C (Max)
PMEG2015EH,115

PMEG2015EH,115

DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD123F

NXP Semiconductors

94,251 -
PMEG2015EH,115

数据表

- SOD-123F Bulk Active Schottky 20 V 660 mV @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 70 µA @ 20 V 50pF @ 1V, 1MHz 1.5A - - Surface Mount SOD-123F 150°C (Max)
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