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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
CD1A30

CD1A30

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DIE

Microchip Technology

9,523 -
CD1A30

数据表

- Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 30 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - 1A - - Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
CD1A20

CD1A20

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE

Microchip Technology

4,981 -
CD1A20

数据表

- Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - 1A - - Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
CD1A45

CD1A45

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DIE

Microchip Technology

2,337 -
CD1A45

数据表

- Die Bulk Active Schottky 45 V - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V - 1A - - Surface Mount Die 125°C
1N457

1N457

DIODE GEN PURP 60V 150MA DO35

Microchip Technology

2,743 -
1N457

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 60 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 60 V - 150mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
1N6643US

1N6643US

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5B

Microchip Technology

129 -
1N6643US

数据表

- SQ-MELF, E Bulk Active Standard 50 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 50 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz 300mA - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N456

1N456

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

4,703 -
1N456

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N456A

1N456A

DIODE GEN PURP 500MA DO35

Microchip Technology

5,288 -
1N456A

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - 500mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C
JAN1N914UR/TR

JAN1N914UR/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

7,879 -
JAN1N914UR/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz 200mA Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
APT30D120SG

APT30D120SG

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A D3

Microchip Technology

5,658 -
APT30D120SG

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 370 ns 250 µA @ 1200 V - 30A - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
JAN1N4245/TR

JAN1N4245/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

7,887 -
JAN1N4245/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 200 V - 1A Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
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