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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SBT2520

SBT2520

DIODE SCHOTTKY 20V 25A TO204AA

Microchip Technology

7,777 -
SBT2520

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Schottky 20 V 1 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 20 V - 25A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -
R3520PF

R3520PF

RECTIFIER

Microchip Technology

2,450 -
R3520PF

数据表

R35 DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 200 V - 70A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 200°C
R3540PF

R3540PF

DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5

Microchip Technology

7,097 -
R3540PF

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - 35A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 175°C
R3560PF

R3560PF

RECTIFIER

Microchip Technology

2,135 -
R3560PF

数据表

R35 DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 70A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 200°C
UFT3010

UFT3010

DIODE GEN PURP 100V 30A TO204AA

Microchip Technology

3,384 -
UFT3010

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard 100 V 930 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 15 µA @ 100 V 140pF @ 10V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -65°C ~ 175°C
UFT3015

UFT3015

DIODE GEN PURP 150V 30A TO204AD

Microchip Technology

8,518 -
UFT3015

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard 150 V 930 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 15 µA @ 150 V 140pF @ 10V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -65°C ~ 175°C
UFT3020

UFT3020

DIODE GEN PURP 200V 30A TO204AD

Microchip Technology

6,436 -
UFT3020

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard 200 V 930 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 15 µA @ 200 V 140pF @ 10V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -65°C ~ 175°C
UFT3060

UFT3060

DIODE GEN PURP 600V 30A TO204AA

Microchip Technology

4,628 -
UFT3060

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard 600 V 930 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 15 µA @ 600 V 140pF @ 10V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -65°C ~ 175°C
SBT2525

SBT2525

POWER SCHOTTKY

Microchip Technology

9,833 -
SBT2525

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SBT2520A

SBT2520A

POWER SCHOTTKY

Microchip Technology

9,280 -
SBT2520A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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