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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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S3610

S3610

DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

Microchip Technology

2,666 -
S3610

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 100 V - 70A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
S3720

S3720

DIODE GEN PURP 200V 85A DO5

Microchip Technology

3,149 -
S3720

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.15 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 200 V - 85A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
S38120

S38120

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO5

Microchip Technology

5,746 -
S38120

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.15 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V - 100A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
1N5814

1N5814

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Microchip Technology

8,895 -
1N5814

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A - - Stud Mount DO-203AA -65°C ~ 175°C
JANS1N5620US

JANS1N5620US

DIODE GEN PURP 800V 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,082 -
JANS1N5620US

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 800 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs - - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
JANS1N5620US/TR

JANS1N5620US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

2,169 -
JANS1N5620US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
JANTX1N1190

JANTX1N1190

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Microchip Technology

6,396 -
JANTX1N1190

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 1.4 V @ 110 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 35A Military MIL-PRF-19500/297 Stud Mount DO-5 -65°C ~ 175°C
UES2606

UES2606

DIODE GEN PURP 400V 30A TO204AA

Microchip Technology

7,472 -
UES2606

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard 400 V 1.25 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 400 V - 30A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -55°C ~ 150°C
JANTX1N3673A

JANTX1N3673A

DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Microchip Technology

8,175 -
JANTX1N3673A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
SBT2530

SBT2530

DIODE SCHOTTKY 30V 25A TO204AA

Microchip Technology

8,460 -
SBT2530

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Schottky 30 V 1 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 350 µA @ 30 V - 25A - - Through Hole TO-204AA (TO-3) -
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