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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N3766

1N3766

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

8,577 -
1N3766

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.4 V @ 110 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V - 35A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 175°C
1N3767

1N3767

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

5,574 -
1N3767

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 900 V 1.19 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 900 V - 40A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
1N3768

1N3768

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

8,138 -
1N3768

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 1.4 V @ 110 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V - 35A - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 175°C
UES1105HR2

UES1105HR2

DIODE GEN PURP 300V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,969 -
UES1105HR2

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 300 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Through Hole A, Axial -
1N6081US

1N6081US

DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF

Microchip Technology

3,431 -
1N6081US

数据表

- SQ-MELF, G Bulk Active Standard 150 V 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 150 V - 2A - - Surface Mount G-MELF (D-5C) -65°C ~ 155°C
JAN1N5822/TR

JAN1N5822/TR

DIODE SCHOTTKY 40V 3A

Microchip Technology

5,249 -
JAN1N5822/TR

数据表

- B, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Through Hole B, Axial -65°C ~ 125°C
UES1106HR2

UES1106HR2

DIODE GEN PURP 400V 2A A AXIAL

Microchip Technology

5,951 -
UES1106HR2

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Through Hole A, Axial -
JANTX1N5712UB

JANTX1N5712UB

DIODE SCHOTTKY UB

Microchip Technology

4,009 -
JANTX1N5712UB

数据表

- 4-SMD, No Lead Bulk Active Schottky - 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - 2pF @ 0V, 1MHz - Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB 150°C (Max)
R42100F

R42100F

DIODE GP REV 1KV 125A DO205AA

Microchip Technology

8,193 -
R42100F

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.2 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1000 V - 125A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -65°C ~ 200°C
R42100TS

R42100TS

RECTIFIER

Microchip Technology

2,938 -
R42100TS

数据表

R42 DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.2 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1000 V - 125A - - Stud Mount DO-205AA (DO-8) -65°C ~ 200°C
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