富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1104HR2/TR

UES1104HR2/TR

DIODE GEN PURP 200V 2A A AXIAL

Microchip Technology

8,058 -
UES1104HR2/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Through Hole A, Axial -
JANS1N5620

JANS1N5620

DIODE GEN PURP 800V 1A A AXIAL

Microchip Technology

2,397 -
JANS1N5620

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 400 V - 1A Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JANS1N5616US

JANS1N5616US

DIODE GEN PURP 400V 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,810 -
JANS1N5616US

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs - - 1A Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
JANS1N5620/TR

JANS1N5620/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A A AXIAL

Microchip Technology

7,883 -
JANS1N5620/TR

数据表

- A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 400 V - 1A Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JAN1N5195UR-1

JAN1N5195UR-1

RECTIFIER

Microchip Technology

5,826 -
JAN1N5195UR-1

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - Military MIL-PRF-19500/118 - - -
UES1104HR2

UES1104HR2

DIODE GEN PURP 200V 2A A AXIAL

Microchip Technology

6,435 -
UES1104HR2

数据表

- A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 2A - - Through Hole A, Axial -
JAN1N5195UR-1/TR

JAN1N5195UR-1/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

6,861 -
JAN1N5195UR-1/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - Military MIL-PRF-19500/118 - - -
JANTX1N3671A

JANTX1N3671A

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Microchip Technology

5,000 -
JANTX1N3671A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 2.3 V @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA -65°C ~ 150°C
JAN1N3671A

JAN1N3671A

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Microchip Technology

2,420 -
JAN1N3671A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JAN1N3673A

JAN1N3673A

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Microchip Technology

3,097 -
JAN1N3673A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.35 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - 12A Military MIL-PRF-19500/260 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户