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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N3659

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DIODE GEN PURP 50V 35A DO21

Microchip Technology

3,607 -
1N3659

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 50 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3664R

1N3664R

DIODE GEN PURP REV 500V 35A DO21

Microchip Technology

6,131 -
1N3664R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 500 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 500 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3661

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DIODE GEN PURP 200V 35A DO21

Microchip Technology

9,835 -
1N3661

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 200 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3662

1N3662

DIODE GEN PURP 300V 35A DO21

Microchip Technology

4,780 -
1N3662

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 300 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 300 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3661R

1N3661R

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO21

Microchip Technology

8,396 -
1N3661R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3659R

1N3659R

DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO21

Microchip Technology

9,643 -
1N3659R

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3664

1N3664

DIODE GEN PURP 500V 35A DO21

Microchip Technology

5,025 -
1N3664

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 500 V 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 500 V - 35A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
1N3666

1N3666

DIODE GEN PURP 80V 500MA AXIAL

Microchip Technology

2,199 -
1N3666

数据表

- Axial Bulk Active Standard 80 V 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 25 µA @ 50 V - 500mA - - Through Hole Axial -65°C ~ 85°C
R3540

R3540

DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5

Microchip Technology

9,005 -
R3540

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 400 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
R3560

R3560

DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5

Microchip Technology

5,266 -
R3560

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.25 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 600 V - 70A - - Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -65°C ~ 200°C
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