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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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GB02SHT06-46

GB02SHT06-46

DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

8,914 -
GB02SHT06-46

数据表

- TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 600 V 76pF @ 1V, 1MHz 4A - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 225°C
150KR60A

150KR60A

DIODE GP REV 600V 150A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,556 -
150KR60A

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 1.33 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 600 V - 150A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
S300YR

S300YR

DIODE GP REV 1.6KV 300A DO9

GeneSiC Semiconductor

2,041 -
S300YR

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - 300A - - Chassis, Stud Mount DO-9 -60°C ~ 180°C
GC05MPS33J-TR

GC05MPS33J-TR

3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

7,595 -
GC05MPS33J-TR

数据表

MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 3300 V 337pF @ 1V, 1MHz 11A - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
S380Y

S380Y

DIODE GP 1.6KV 380A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

1 -
S380Y

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 1.2 V @ 380 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - 380A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 180°C
MURH10005

MURH10005

DIODE GEN PURP 50V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

9,973 -
MURH10005

数据表

- D-67 Bulk Obsolete Standard 50 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
MURH10005R

MURH10005R

DIODE GEN PURP REV 50V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

9,553 -
MURH10005R

数据表

- D-67 Bulk Obsolete Standard, Reverse Polarity 50 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
MURH7005

MURH7005

DIODE GEN PURP 50V 70A D-67

GeneSiC Semiconductor

9,319 -
MURH7005

数据表

- D-67 Bulk Obsolete Standard 50 V 1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 70A - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
MURH7005R

MURH7005R

DIODE GEN PURP 50V 70A D-67

GeneSiC Semiconductor

5,151 -
MURH7005R

数据表

- D-67 Bulk Obsolete Standard 50 V 1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 70A - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
GKN130/04

GKN130/04

DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

2,285 -
GKN130/04

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 400 V - 165A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 180°C
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