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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N3295AR

1N3295AR

DIODE GP REV 1KV 100A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

2,329 -
1N3295AR

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 1.5 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 11 mA @ 1000 V - 100A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
1N3296A

1N3296A

DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

7,885 -
1N3296A

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.5 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1200 V - 100A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
1N3296AR

1N3296AR

DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

6,441 -
1N3296AR

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 1.5 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1200 V - 100A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
1N3297A

1N3297A

DIODE GP 1.4KV 100A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,925 -
1N3297A

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1400 V 1.5 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 7 mA @ 1400 V - 100A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
1N3297AR

1N3297AR

DIODE GP REV 1.4KV 100A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

7,429 -
1N3297AR

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 1.5 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 7 mA @ 1400 V - 100A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
GKR13012

GKR13012

DIODE GP 1.2KV 165A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,794 -
GKR13012

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.5 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 22 mA @ 1200 V - 165A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 180°C
GE04MPS06E-TR

GE04MPS06E-TR

650V 4A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP

GeneSiC Semiconductor

7,102 -
GE04MPS06E-TR

数据表

MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.35 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 186pF @ 1V, 1MHz 12A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GE10MPS06E-TR

GE10MPS06E-TR

650V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

5,854 -
GE10MPS06E-TR

数据表

MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 466pF @ 1V, 1MHz 26A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GD30MPS06J-TR

GD30MPS06J-TR

650V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

7,595 -
GD30MPS06J-TR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 735pF @ 1V, 1MHz 51A - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
150K100A

150K100A

DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

6,304 -
150K100A

数据表

- DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 1000 V 1.33 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 24 mA @ 1000 V - 150A - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
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