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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MURT40040R

MURT40040R

DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

39 -
MURT40040R

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard, Reverse Polarity 200A 1.35 V @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 25 µA @ 50 V 400 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
GB2X50MPS12-227

GB2X50MPS12-227

DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

248 -
GB2X50MPS12-227

数据表

SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 93A (DC) 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GB2X50MPS17-227

GB2X50MPS17-227

DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

79 -
GB2X50MPS17-227

数据表

SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 136A (DC) 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1700 V 1700 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBRT20060R

MBRT20060R

DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

67 -
MBRT20060R

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Schottky 100A 800 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V 60 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MUR20020CT

MUR20020CT

DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

48 -
MUR20020CT

数据表

- Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 100A 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V 200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MBR2X030A045

MBR2X030A045

DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

39 -
MBR2X030A045

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 60A 700 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 45 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X060A02

MUR2X060A02

DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

60 -
MUR2X060A02

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 60A 1 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 200 V 200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X100A04

MUR2X100A04

DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227

GeneSiC Semiconductor

12 -
MUR2X100A04

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 100A 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 400 V 400 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GE2X8MPS06D

GE2X8MPS06D

DIODE ARRAY SIC 650V 19A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

38 -
GE2X8MPS06D

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 19A (DC) - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
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