富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
MBRT20060

MBRT20060

DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

10 -
MBRT20060

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 100A 800 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V 60 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MBR2X030A100

MBR2X030A100

DIODE MOD SCHOTT 100V 60A SOT227

GeneSiC Semiconductor

8,081 -
MBR2X030A100

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 60A 840 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V 100 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X060A06

MUR2X060A06

DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

9,602 -
MUR2X060A06

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 600 V 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X060A045

MBR2X060A045

DIODE MOD SCHOTT 45V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

9,257 -
MBR2X060A045

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 700 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V 45 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X100A02

MUR2X100A02

DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227

GeneSiC Semiconductor

9,778 -
MUR2X100A02

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 100A 1 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 200 V 200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X100A180

MBR2X100A180

DIODE MOD SCHOT 180V 100A SOT227

GeneSiC Semiconductor

3,119 -
MBR2X100A180

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 100A 920 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 180 V 180 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR400100CTR

MBR400100CTR

DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

3,838 -
MBR400100CTR

数据表

- Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 200A 840 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V 100 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
MBRT40045

MBRT40045

DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

8,428 -
MBRT40045

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 200A 750 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V 45 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
GE2X10MPS06D

GE2X10MPS06D

DIODE ARRAY SIC 650V 23A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

8,473 -
GE2X10MPS06D

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 23A (DC) - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
GB10SLT12-247D

GB10SLT12-247D

DIODE ARRAY SIC 1200V 12A TO-247

GeneSiC Semiconductor

7,263 -
GB10SLT12-247D

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 12A 1.9 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
共 849 条记录«上一页1234...85下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户