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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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GC2X15MPS12-247

GC2X15MPS12-247

DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

2,805 -
GC2X15MPS12-247

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 75A (DC) 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 14 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
GC2X20MPS12-247

GC2X20MPS12-247

DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

8,207 -
GC2X20MPS12-247

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 90A (DC) 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
MUR2X030A06

MUR2X030A06

DIODE MODULE GP 600V 30A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

6,271 -
MUR2X030A06

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete 2 Independent Standard 30A 1.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 25 µA @ 600 V 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X030A10

MUR2X030A10

DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227

GeneSiC Semiconductor

6,646 -
MUR2X030A10

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete 2 Independent Standard 30A 2.35 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 25 µA @ 1000 V 1000 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X030A12

MUR2X030A12

DIODE MODULE GP 1200V 30A SOT227

GeneSiC Semiconductor

4,415 -
MUR2X030A12

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete 2 Independent Standard 30A 2.35 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 25 µA @ 1200 V 1200 V -65°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GD2X30MPS06N

GD2X30MPS06N

DIODE MOD SIC 650V 42A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

2,052 -
GD2X30MPS06N

数据表

SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 42A (DC) - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 650 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
UFT7340M

UFT7340M

DIODE MODULE GP 400V 70A D61-3M

GeneSiC Semiconductor

5,401 -
UFT7340M

数据表

- D61-3M Bulk Obsolete 1 Pair Common Cathode Standard 70A 1.3 V @ 35 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 400 V 400 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount D61-3M
MSRT150100A

MSRT150100A

DIODE MOD GP 1000V 150A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

7,265 -
MSRT150100A

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 150A 1.2 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 1000 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MSRT150120A

MSRT150120A

DIODE MOD GP 1200V 150A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

3,698 -
MSRT150120A

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 150A 1.2 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 1200 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MSRT150140A

MSRT150140A

DIODE MOD GP 1400V 150A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

2,697 -
MSRT150140A

数据表

- Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 150A 1.2 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 1400 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
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