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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1

IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247

IXYS

28 -
IXXR110N65B4H1

数据表

GenX4™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 460 A 2.2V @ 15V, 110A 455 W Through Hole 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 150 A 183 nC 38ns/156ns - 400V, 55A, 2Ohm, 15V ISOPLUS247™ - 100 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV

REVERSE CONDUCTING IGBT

IXYS

8 -
IXBA16N170AHV

数据表

BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 1700 V 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W Surface Mount 2.5mJ (off) Standard 16 A 65 nC 15ns/250ns - 1360V, 10A, 10Ohm, 15V TO-263HV - 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXXK300N60B3

IXXK300N60B3

IGBT 600V 550A 2300W TO264

IXYS

9 -
IXXK300N60B3

数据表

GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 1140 A 1.6V @ 15V, 100A 2300 W Through Hole 3.45mJ (on), 2.86mJ (off) Standard 550 A 460 nC 50ns/190ns - 400V, 100A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXXK) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYK85N120C4H1

IXYK85N120C4H1

IGBT TRENCH 1200V 220A SOT227B

IXYS

82 -
IXYK85N120C4H1

数据表

XPT™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Trench 1200 V 420 A 2.5V @ 15V, 85A 1150 W Chassis Mount 4.3mJ (on), 2mJ (off) Standard 220 A 192 nC 35ns/280ns - 600V, 50A, 5Ohm, 15V SOT-227B - 265 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXYF30N450

IXYF30N450

IGBT 4500V 23A ISOPLUSI4

IXYS

17 -
IXYF30N450

数据表

XPT™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active - 4500 V 190 A 3.9V @ 15V, 30A 230 W Through Hole - Standard 23 A 88 nC 38ns/168ns - 960V, 30A, 15Ohm, 15V ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYP50N65C3

IXYP50N65C3

IGBT 650V 130A 600W TO220

IXYS

7,799 -
IXYP50N65C3

数据表

GenX3™, XPT™ TO-220-3 Tube Active PT 650 V 250 A 2.1V @ 15V, 36A 600 W Through Hole 1.3mJ (on), 370µJ (off) Standard 130 A 80 nC 22ns/80ns - 400V, 36A, 5Ohm, 15V TO-220-3 - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXGA20N120A3

IXGA20N120A3

IGBT PT 1200V 40A TO263AA

IXYS

4,657 -
IXGA20N120A3

数据表

GenX3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active PT 1200 V 120 A 2.5V @ 15V, 20A 180 W Surface Mount 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Standard 40 A 50 nC 16ns/290ns - 960V, 20A, 10Ohm, 15V TO-263AA - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBT42N170

IXBT42N170

IGBT 1700V 80A TO268AA

IXYS

5,888 -
IXBT42N170

数据表

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 300 A 2.8V @ 15V, 42A 360 W Surface Mount - Standard 80 A 188 nC - - - TO-268AA - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYT30N450HV

IXYT30N450HV

IGBT 4500V 60A TO268HV

IXYS

5,472 -
IXYT30N450HV

数据表

XPT™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 4500 V 200 A 3.9V @ 15V, 30A 430 W Surface Mount - Standard 60 A 88 nC 38ns/168ns - 960V, 30A, 10Ohm, 15V TO-268HV (IXYT) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBK75N170

IXBK75N170

IGBT 1700V 200A TO264AA

IXYS

7,696 -
IXBK75N170

数据表

BIMOSFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 1700 V 580 A 3.1V @ 15V, 75A 1040 W Through Hole - Standard 200 A 350 nC - - - TO-264AA - 1.5 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
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