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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
IXYH16N250CV1HV

IXYH16N250CV1HV

IGBT 2500V 35A TO247HV

IXYS

284 -
IXYH16N250CV1HV

数据表

XPT™ TO-247-3 Tube Active - 2500 V 126 A 4V @ 15V, 16A 500 W Through Hole 4.75mJ (on), 3.9mJ (off) Standard 35 A 97 nC 14ns/260ns - 1250V, 16A, 10Ohm, 15V TO-247 (IXYH) - 19 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXXK160N65B4

IXXK160N65B4

IGBT 650V 310A 940W TO264

IXYS

268 -
IXXK160N65B4

数据表

GenX4™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 650 V 860 A 1.8V @ 15V, 160A 940 W Through Hole 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) Standard 310 A 425 nC 52ns/220ns - 400V, 80A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXXK) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXGF32N170

IXGF32N170

IGBT 1700V 44A 200W I4PAC

IXYS

246 -
IXGF32N170

数据表

- i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active NPT 1700 V 200 A 3.5V @ 15V, 32A 200 W Through Hole 10.6mJ (off) Standard 44 A 146 nC 45ns/270ns - 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V ISOPLUS i4-PAC™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH42N170A

IXBH42N170A

IGBT 1700V 42A TO247AD

IXYS

146 -
IXBH42N170A

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 265 A 6V @ 15V, 21A 357 W Through Hole 3.43mJ (on), 430µJ (off) Standard 42 A 188 nC 19ns/200ns - 850V, 21A, 1Ohm, 15V TO-247AD - 330 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYX100N120C3

IXYX100N120C3

IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247

IXYS

330 -
IXYX100N120C3

数据表

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Variant Tube Active - 1200 V 490 A 3.5V @ 15V, 100A 1150 W Through Hole 6.5mJ (on), 2.9mJ (off) Standard 188 A 270 nC 32ns/123ns - 600V, 100A, 1Ohm, 15V PLUS247™-3 - - -55°C ~ 175°C (TJ)
IXGK400N30A3

IXGK400N30A3

IGBT PT 300V 400A TO264

IXYS

304 -
IXGK400N30A3

数据表

GenX3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 300 V 1200 A 1.15V @ 15V, 100A 1000 W Through Hole - Standard 400 A 560 nC - - - TO-264 (IXGK) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGN200N170

IXGN200N170

IGBT

IXYS

290 -
IXGN200N170

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active - 1700 V 1050 A 2.6V @ 15V, 100A 1250 W Chassis Mount 28mJ (on), 30mJ (off) Standard 280 A 540 nC 37ns/320ns - 850V, 100A, 1Ohm, 15V SOT-227B - 133 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT2N250

IXGT2N250

IGBT 2500V 5.5A TO268AA

IXYS

310 -
IXGT2N250

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 13.5 A 3.1V @ 15V, 2A 32 W Surface Mount - Standard 5.5 A 10.5 nC - - - TO-268AA - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBK64N250

IXBK64N250

BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-264

IXYS

176 -
IXBK64N250

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 2500 V - 3V @ 15V, 64A 735 W Through Hole - Standard 75 A - - - - TO-264AA - - -
IXXQ30N60B3M

IXXQ30N60B3M

IGBT

IXYS

298 -
IXXQ30N60B3M

数据表

XPT™, GenX3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 140 A 1.85V @ 15V, 24A 90 W Through Hole 550µJ (on), 800µJ (off) Standard 33 A 39 nC 23ns/150ns - 400V, 24A, 10Ohm, 15V TO-3P - 36 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
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