| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 功率 - 最大值 | 安装类型 | 开关能量 | 输入类型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 栅极电荷 | 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | 认证 | 测试条件 | 供应商设备封装 | 等级 | 反向恢复时间 (trr) | 工作温度 |
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APT45GR65BSCD10INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Microsemi Corporation |
6,732 | - |
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数据表 |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | NPT | 650 V | 224 A | 2.4V @ 15V, 45A | 543 W | Through Hole | - | Standard | 118 A | 203 nC | 15ns/100ns | - | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V | TO-247 | - | 80 ns | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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APT45GR65SSCD10INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Microsemi Corporation |
7,486 | - |
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数据表 |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Bulk | Obsolete | NPT | 650 V | 224 A | 2.4V @ 15V, 45A | 543 W | Surface Mount | - | Standard | 118 A | 203 nC | 15ns/100ns | - | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V | D3PAK | - | 80 ns | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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APT70GR65B2SCD30INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Microsemi Corporation |
7,236 | - |
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数据表 |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | NPT | 650 V | 260 A | 2.4V @ 15V, 70A | 595 W | Through Hole | - | - | 134 A | 305 nC | 19ns/170ns | - | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V | T-MAX™ [B2] | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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78124TRANSISTOR Microsemi Corporation |
6,101 | - |
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数据表 |
* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |