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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Microsemi Corporation

6,732 -
APT45GR65BSCD10

数据表

- TO-247-3 Bulk Obsolete NPT 650 V 224 A 2.4V @ 15V, 45A 543 W Through Hole - Standard 118 A 203 nC 15ns/100ns - 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V TO-247 - 80 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Microsemi Corporation

7,486 -
APT45GR65SSCD10

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Obsolete NPT 650 V 224 A 2.4V @ 15V, 45A 543 W Surface Mount - Standard 118 A 203 nC 15ns/100ns - 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V D3PAK - 80 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Microsemi Corporation

7,236 -
APT70GR65B2SCD30

数据表

- TO-247-3 Bulk Obsolete NPT 650 V 260 A 2.4V @ 15V, 70A 595 W Through Hole - - 134 A 305 nC 19ns/170ns - 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V T-MAX™ [B2] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
78124

78124

TRANSISTOR

Microsemi Corporation

6,101 -
78124

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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