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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

IGBT 1200V 25A 156W TO220

Microsemi Corporation

9,344 -
APT11GF120KRG

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 44 A 3V @ 15V, 8A 156 W Through Hole 300µJ (on), 285µJ (off) Standard 25 A 65 nC 7ns/100ns - 800V, 8A, 10Ohm, 15V TO-220 [K] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT13GP120KG

APT13GP120KG

IGBT 1200V 41A 250W TO220

Microsemi Corporation

5,030 -
APT13GP120KG

数据表

POWER MOS 7® TO-220-3 Tube Obsolete PT 1200 V 50 A 3.9V @ 15V, 13A 250 W Through Hole 114µJ (on), 165µJ (off) Standard 41 A 55 nC 9ns/28ns - 600V, 13A, 5Ohm, 15V TO-220 [K] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT15GP60KG

APT15GP60KG

IGBT 600V 56A 250W TO220

Microsemi Corporation

3,117 -
APT15GP60KG

数据表

POWER MOS 7® TO-220-3 Tube Obsolete PT 600 V 65 A 2.7V @ 15V, 15A 250 W Through Hole 130µJ (on), 121µJ (off) Standard 56 A 55 nC 8ns/29ns - 400V, 15A, 5Ohm, 15V TO-220 [K] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT15GP90BG

APT15GP90BG

IGBT PT 900V 43A TO247

Microsemi Corporation

6,497 -
APT15GP90BG

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 900 V 60 A 3.9V @ 15V, 15A 250 W Through Hole 200µJ (off) Standard 43 A 60 nC 9ns/33ns - 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V TO-247 [B] - - -
APT40GP60SG

APT40GP60SG

IGBT PT 600V 100A D3PAK

Microsemi Corporation

4,024 -
APT40GP60SG

数据表

POWER MOS 7® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active PT 600 V 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W Surface Mount 385µJ (on), 352µJ (off) Standard 100 A 135 nC 20ns/64ns - 400V, 40A, 5Ohm, 15V D3PAK - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

IGBT 1200V 75A 521W TO247

Microsemi Corporation

9,081 -
APT25GR120BSCD10

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 100 A 3.2V @ 15V, 25A 521 W Through Hole 434µJ (on), 466µJ (off) Standard 75 A 203 nC 16ns/122ns - 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

IGBT NPT 1200V 75A D3PAK

Microsemi Corporation

7,882 -
APT25GR120SSCD10

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete NPT 1200 V 100 A 3.2V @ 15V, 25A 521 W Surface Mount 434µJ (on), 466µJ (off) Standard 75 A 203 nC 16ns/122ns - 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V D3PAK - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

IGBT PT 600V 100A TO264

Microsemi Corporation

5,613 -
APT30GP60LDLG

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 120 A 2.7V @ 15V, 30A 463 W Through Hole 260µJ (on), 250µJ (off) Standard 100 A 90 nC 13ns/55ns - 400V, 30A, 5Ohm, 15V TO-264 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT15GP60BDLG

APT15GP60BDLG

IGBT PT 600V 56A TO247

Microsemi Corporation

9,762 -
APT15GP60BDLG

数据表

- TO-247-3 Tube Active PT 600 V 65 A 2.7V @ 15V, 15A 250 W Through Hole 130µJ (on), 121µJ (off) Standard 56 A 55 nC 8ns/29ns - 400V, 15A, 5Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

IGBT PT 600V 100A TMAX

Microsemi Corporation

5,970 -
APT30GP60B2DLG

数据表

- TO-247-3 Tube Active PT 600 V 120 A 2.7V @ 15V, 30A 463 W Through Hole 260µJ (on), 250µJ (off) Standard 100 A 90 nC 13ns/55ns - 400V, 30A, 5Ohm, 15V T-MAX™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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