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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

IGBT NPT 1200V 106A

Microsemi Corporation

8 -
APT50GT120B2RDLG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Variant Tube Active NPT 1200 V 150 A 3.7V @ 15V, 50A 694 W Through Hole 3585µJ (on), 1910µJ (off) Standard 106 A 240 nC 23ns/215ns - 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT15GT60KRG

APT15GT60KRG

IGBT 600V 42A 184W TO220

Microsemi Corporation

2,687 -
APT15GT60KRG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-220-3 Tube Obsolete NPT 600 V 45 A 2.5V @ 15V, 15A 184 W Through Hole 150µJ (on), 215µJ (off) Standard 42 A 75 nC 6ns/105ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-220 [K] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

IGBT 600V 64A 250W TO220

Microsemi Corporation

7,706 -
APT30GT60KRG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-220-3 Tube Obsolete NPT 600 V 110 A 2.5V @ 15V, 30A 250 W Through Hole 525µJ (on), 600µJ (off) Standard 64 A 145 nC 12ns/225ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-220 [K] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

IGBT 600V 41A 187W TO247

Microsemi Corporation

6,158 -
APT11GP60BDQBG

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 45 A 2.7V @ 15V, 11A 187 W Through Hole 46µJ (on), 90µJ (off) Standard 41 A 40 nC 7ns/29ns - 400V, 11A, 5Ohm, 15V TO-247-3 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT20GF120BRG

APT20GF120BRG

IGBT 1200V 32A 200W TO247

Microsemi Corporation

7,320 -
APT20GF120BRG

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 64 A 3.2V @ 15V, 15A 200 W Through Hole 2.7mJ Standard 32 A 95 nC 17ns/105ns - - TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

IGBT 1200V 25A 156W TO247

Microsemi Corporation

2,575 -
APT11GF120BRDQ1G

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 24 A 3V @ 15V, 8A 156 W Through Hole 300µJ (on), 285µJ (off) Standard 25 A 65 nC 7ns/100ns - 800V, 8A, 10Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

IGBT 600V 78A 337W TO247

Microsemi Corporation

6,754 -
APT44GA60BD30C

数据表

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 130 A 1.6V @ 15V, 26A 337 W Through Hole 409µJ (on), 450µJ (off) Standard 78 A 128 nC 16ns/102ns - 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V TO-247 [B] - - -
APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

IGBT 600V 150A 625W TO264

Microsemi Corporation

7,325 -
APT50GP60LDLG

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete PT 600 V 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W Through Hole 456µJ (on), 635µJ (off) Standard 150 A 165 nC 19ns/85ns - 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V TO-264 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT40GR120B2SCD10

APT40GR120B2SCD10

IGBT 1200V 88A 500W TO247

Microsemi Corporation

2,147 -
APT40GR120B2SCD10

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W Through Hole 929µJ (on), 1070µJ (off) Standard 88 A 210 nC 20ns/166ns - 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Microsemi Corporation

7,057 -
APT95GR65JDU60

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete NPT 650 V 380 A 2.4V @ 15V, 95A 446 W Chassis Mount - Standard 135 A 420 nC 29ns/226ns - 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V SOT-227 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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