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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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RGS30TSX2DHRC11

RGS30TSX2DHRC11

IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247N

Rohm Semiconductor

3,128 -
RGS30TSX2DHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 45 A 2.1V @ 15V, 15A 267 W Through Hole 740µJ (on), 600µJ (off) Standard 30 A 41 nC 30ns/70ns - 600V, 15A, 10Ohm, 15V TO-247N - 157 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGW60TS65CHRC11

RGW60TS65CHRC11

IGBT 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

372 -
RGW60TS65CHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active - 650 V 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W Through Hole 70µJ (on), 220µJ (off) Standard 64 A 84 nC 37ns/91ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-247N - 34 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGC80TSX8RGC11

RGC80TSX8RGC11

IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

880 -
RGC80TSX8RGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1800 V 120 A 5V @ 15V, 40A 535 W Through Hole 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) Standard 80 A 468 nC 80ns/565ns - 600V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247N - - -40°C ~ 175°C (TJ)
RGWX5TS65EHRC11

RGWX5TS65EHRC11

IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

Rohm Semiconductor

450 -
RGWX5TS65EHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 300 A 1.9V @ 15V, 75A 348 W Through Hole - Standard 132 A 213 nC 59ns/243ns - 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V TO-247N - 100 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGS80TSX2DGC11

RGS80TSX2DGC11

IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

187 -
RGS80TSX2DGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W Through Hole 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 80 A 104 nC 49ns/199ns - 600V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247N - 198 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGS80TSX2DHRC11

RGS80TSX2DHRC11

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

1,531 -
RGS80TSX2DHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W Through Hole 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 80 A 104 nC 49ns/199ns - 600V, 40A, 10Ohm, 15V TO-247N - 198 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262

Rohm Semiconductor

962 -
RGT8NS65DGC9

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active Trench Field Stop 650 V 12 A 2.1V @ 15V, 4A 65 W Through Hole - Standard 8 A 13.5 nC 17ns/69ns - 400V, 4A, 50Ohm, 15V TO-262 - 40 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT16NS65DGC9

RGT16NS65DGC9

IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO262

Rohm Semiconductor

659 -
RGT16NS65DGC9

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active Trench Field Stop 650 V 24 A 2.1V @ 15V, 8A 94 W Through Hole - Standard 16 A 21 nC 13ns/33ns - 400V, 8A, 10Ohm, 15V TO-262 - 42 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT30TM65DGC9

RGT30TM65DGC9

IGBT TRNCH FLD 650V 14A TO220NFM

Rohm Semiconductor

768 -
RGT30TM65DGC9

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active Trench Field Stop 650 V 45 A 2.1V @ 15V, 15A 32 W Through Hole - Standard 14 A 32 nC 18ns/64ns - 400V, 15A, 10Ohm, 15V TO-220NFM - 55 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
RGT16NS65DGTL

RGT16NS65DGTL

IGBT TRENCH FIELD 650V 16A LPDS

Rohm Semiconductor

999 -
RGT16NS65DGTL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 24 A 2.1V @ 15V, 8A 94 W Surface Mount - Standard 16 A 21 nC 13ns/33ns - 400V, 8A, 10Ohm, 15V LPDS - 42 ns -40°C ~ 175°C (TJ)
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