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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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VS-GT105NA120UX

VS-GT105NA120UX

IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,693 -
VS-GT105NA120UX

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete Trench Single 134 A 463 W - 75 µA - 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GP300TD60S

VS-GP300TD60S

IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,101 -
VS-GP300TD60S

数据表

- Dual INT-A-PAK (3 + 8) Tube Obsolete PT, Trench Half Bridge 580 A 1136 W 1.45V @ 15V, 300A 150 µA - 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Dual INT-A-PAK
VS-GP400TD60S

VS-GP400TD60S

IGBT MOD 600V 758A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,600 -
VS-GP400TD60S

数据表

- Dual INT-A-PAK (3 + 8) Tube Obsolete PT, Trench Half Bridge 758 A 1563 W 1.52V @ 15V, 400A 200 µA - 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Dual INT-A-PAK
VS-100MT060WSP

VS-100MT060WSP

IGBT MODULE 600V 107A 403W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,698 -
VS-100MT060WSP

数据表

- 12-MTP Module Tube Obsolete - Single 107 A 403 W 2.49V @ 15V, 60A 100 µA 9.5 nF @ 30 V 600 V Single Phase Bridge Rectifier Yes 150°C (TJ) Through Hole MTP
VS-150MT060WDF

VS-150MT060WDF

IGBT MOD 600V 138A 12MTP PRESS

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,687 -
VS-150MT060WDF

数据表

- 12-MTP Module Tube Obsolete - Dual Buck Chopper 138 A 543 W 2.48V @ 15V, 80A 100 µA 14 nF @ 30 V 600 V Standard Yes 150°C (TJ) Chassis Mount 12-MTP Pressfit
VS-GP100TS60SFPBF

VS-GP100TS60SFPBF

IGBT MOD 600V 337A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,344 -
VS-GP100TS60SFPBF

数据表

- INT-A-Pak Tube Obsolete PT, Trench Half Bridge 337 A 781 W 1.34V @ 15V, 100A 150 µA - 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GT200TP065N

VS-GT200TP065N

IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,659 -
VS-GT200TP065N

数据表

- INT-A-Pak Tube Obsolete Trench Half Bridge 221 A 600 W 2.12V @ 15V, 200A 60 µA - 650 V Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GP250SA60S

VS-GP250SA60S

IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,265 -
VS-GP250SA60S

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete PT, Trench Single 380 A 893 W 1.3V @ 15V, 100A 100 µA - 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GA200HS60S1

VS-GA200HS60S1

IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,589 -
VS-GA200HS60S1

数据表

- INT-A-Pak Bulk Obsolete - Half Bridge 480 A 830 W 1.21V @ 15V, 200A 1 mA 32.5 nF @ 30 V 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GA100TS60SF

VS-GA100TS60SF

IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,405 -
VS-GA100TS60SF

数据表

- INT-A-Pak Bulk Obsolete PT Half Bridge 220 A 780 W 1.28V @ 15V, 100A 1 mA 16.25 nF @ 30 V 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
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