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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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VS-GB300TH120N

VS-GB300TH120N

IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,201 -
VS-GB300TH120N

数据表

- Double INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Half Bridge 500 A 1645 W 2.45V @ 15V, 300A 5 mA 21.2 nF @ 25 V 1200 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GB400TH120N

VS-GB400TH120N

IGBT MOD 1200V 800A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,923 -
VS-GB400TH120N

数据表

- Double INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Half Bridge 800 A 2604 W 1.9V @ 15V, 400A (Typ) 5 mA 32.7 nF @ 25 V 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GB50TP120N

VS-GB50TP120N

IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,014 -
VS-GB50TP120N

数据表

- INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Half Bridge 100 A 446 W 2.15V @ 15V, 50A 5 mA 4.29 nF @ 25 V 1200 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GB50YF120N

VS-GB50YF120N

IGBT MOD 1200V 66A ECONO2 4PACK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,302 -
VS-GB50YF120N

数据表

- Module Bulk Obsolete - - 66 A 330 W 4.5V @ 15V, 75A 250 µA - 1200 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount ECONO2 4PACK
VS-GB600AH120N

VS-GB600AH120N

IGBT MOD 1200V 910A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,468 -
VS-GB600AH120N

数据表

- Double INT-A-PAK (5) Bulk Obsolete - Single 910 A 3125 W 1.9V @ 15V, 600A (Typ) 5 mA 41 nF @ 25 V 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GB75TP120N

VS-GB75TP120N

IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,436 -
VS-GB75TP120N

数据表

- INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete - Half Bridge 150 A 543 W 2.35V @ 15V, 75A 5 mA 5.52 nF @ 25 V 1200 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GB75YF120N

VS-GB75YF120N

IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,777 -
VS-GB75YF120N

数据表

- Module Bulk Obsolete - - 100 A 480 W 4.5V @ 15V, 100A 250 µA - 1200 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount ECONO2 4PACK
VS-GB75YF120UT

VS-GB75YF120UT

IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,577 -
VS-GB75YF120UT

数据表

- Module Bulk Obsolete - - 100 A 480 W 4.5V @ 15V, 100A 250 µA - 1200 V Standard Yes 150°C (TJ) Chassis Mount ECONO2 4PACK
VS-GB90DA120U

VS-GB90DA120U

IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,552 -
VS-GB90DA120U

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete NPT Single 149 A 862 W 3.8V @ 15V, 75A 250 µA - 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT100TP120N

VS-GT100TP120N

IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,031 -
VS-GT100TP120N

数据表

- INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete Trench Half Bridge 180 A 652 W 2.35V @ 15V, 100A 5 mA 12.8 nF @ 30 V 1200 V Standard No 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
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