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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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VS-GT175DA120U

VS-GT175DA120U

IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,501 -
VS-GT175DA120U

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete Trench Single 288 A 1087 W 2.1V @ 15V, 100A 100 µA - 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GT400TH120N

VS-GT400TH120N

IGBT MOD 1200V 600A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,411 -
VS-GT400TH120N

数据表

- Double INT-A-PAK (3 + 8) Bulk Obsolete Trench Half Bridge 600 A 2119 W 2.15V @ 15V, 400A 5 mA 28.8 nF @ 25 V 1200 V Standard No 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N

IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,555 -
VS-GT400TH60N

数据表

- Double INT-A-PAK (3 + 8) Bulk Active Trench Half Bridge 530 A 1600 W 2.05V @ 15V, 400A 5 mA 30.8 nF @ 30 V 600 V Standard No 175°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N

IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,541 -
VS-GT50TP120N

数据表

- INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete Trench Half Bridge 100 A 405 W 2.35V @ 15V, 50A 5 mA 6.24 nF @ 30 V 1200 V Standard No 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GT50TP60N

VS-GT50TP60N

IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,039 -
VS-GT50TP60N

数据表

- INT-A-PAK (3 + 4) Bulk Obsolete Trench Half Bridge 85 A 208 W 2.1V @ 15V, 50A 1 mA 3.03 nF @ 30 V 600 V Standard No 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-100MT060WDF

VS-100MT060WDF

IGBT MODULE 600V 121A 462W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,573 -
VS-100MT060WDF

数据表

- 16-MTP Module Tray Obsolete - - 121 A 462 W 2.29V @ 15V, 60A 100 µA 9.5 nF @ 30 V 600 V Standard Yes 150°C (TJ) Chassis Mount MTP
VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFAPBF

IGBT MODULE 1200V 20A 240W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,748 -
VS-20MT120UFAPBF

数据表

- 16-MTP Module Tray Obsolete NPT Full Bridge Inverter 20 A 240 W 4.66V @ 15V, 40A 250 µA 3.79 nF @ 30 V 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount MTP
VS-20MT120UFP

VS-20MT120UFP

IGBT MODULE 1200V 40A 240W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,024 -
VS-20MT120UFP

数据表

- 16-MTP Module Tray Obsolete NPT Full Bridge Inverter 40 A 240 W 4.66V @ 15V, 40A 250 µA 3.79 nF @ 30 V 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount MTP
VS-25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPBF

IGBT MODULE 600V 69A 195W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,873 -
VS-25MT060WFAPBF

数据表

- 16-MTP Module Tray Obsolete - Full Bridge Inverter 69 A 195 W 3.25V @ 15V, 50A 250 µA 5.42 nF @ 30 V 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount MTP
VS-40MT120UHAPBF

VS-40MT120UHAPBF

IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,296 -
VS-40MT120UHAPBF

数据表

- 12-MTP Module Tube Obsolete NPT Half Bridge 80 A 463 W 4.91V @ 15V, 80A 250 µA 8.28 nF @ 30 V 1200 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount MTP
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