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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
PD54008

PD54008

RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10

STMicroelectronics

9,916 -
PD54008

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 11.5dB 7.5 V 5A - 150 mA 500MHz 8W 25 V - 10-PowerSO - -
PD55008

PD55008

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

STMicroelectronics

7,227 -
PD55008

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 17dB 12.5 V 4A - 150 mA 500MHz 8W 40 V - 10-PowerSO - -
PD55008L-E

PD55008L-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT

STMicroelectronics

8,119 -
PD55008L-E

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 19dB 12.5 V 5A - 150 mA 500MHz 8W 40 V - PowerFLAT™ (5x5) - -
PD54008TR-E

PD54008TR-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

6,407 -
PD54008TR-E

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Tape & Reel (TR) Active LDMOS - 11.5dB 7.5 V 5A - 150 mA 500MHz 8W 25 V - PowerSO-10RF (Formed Lead) - -
PD57006-E

PD57006-E

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF

STMicroelectronics

3,701 -
PD57006-E

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Tube Obsolete LDMOS - 15dB 28 V 1A - 70 mA 945MHz 6W 65 V - PowerSO-10RF (Formed Lead) - -
PD55008S-E

PD55008S-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

5,338 -
PD55008S-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Active LDMOS - 17dB 12.5 V 4A - 150 mA 500MHz 8W 40 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
PD55008STR-E

PD55008STR-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

4,128 -
PD55008STR-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 17dB 12.5 V 4A - 150 mA 500MHz 8W 40 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
PD54008S-E

PD54008S-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

5,853 -
PD54008S-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 11.5dB 7.5 V 5A - 150 mA 500MHz 8W 25 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
PD84008-E

PD84008-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

6,883 -
PD84008-E

数据表

- PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Tube Obsolete LDMOS - 16.2dB 7.5 V 7A - 250 mA 870MHz 2W 25 V - PowerSO-10RF (Formed Lead) - -
PD84008S-E

PD84008S-E

RF MOSFET 7.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

6,853 -
PD84008S-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 16.2dB 7.5 V 7A - 250 mA 870MHz 2W 25 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
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