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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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PD55003S

PD55003S

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

STMicroelectronics

5,854 -
PD55003S

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 17dB 12.5 V 2.5A - 50 mA 500MHz 3W 40 V - 10-PowerSO - -
PD55003

PD55003

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

STMicroelectronics

6,309 -
PD55003

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 17dB 12.5 V 2.5A - 50 mA 500MHz 3W 40 V - 10-PowerSO - -
PD54003-E

PD54003-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10

STMicroelectronics

2,028 -
PD54003-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Active LDMOS - 12dB 7.5 V 4A - 50 mA 500MHz 3W 25 V - 10-PowerSO - -
PD57002-E

PD57002-E

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10

STMicroelectronics

5,625 -
PD57002-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 15dB 28 V 250mA - 10 mA 960MHz 2W 65 V - 10-PowerSO - -
PD54003S-E

PD54003S-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

6,701 -
PD54003S-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 12dB 7.5 V 4A - 50 mA 500MHz 3W 25 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
PD55003STR-E

PD55003STR-E

RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF

STMicroelectronics

9,385 -
PD55003STR-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 17dB 12.5 V 2.5A - 50 mA 500MHz 3W 40 V - PowerSO-10RF (Straight Lead) - -
PD57006S

PD57006S

RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10

STMicroelectronics

4,633 -
PD57006S

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 15dB 28 V 1A - 70 mA 945MHz 6W 65 V - 10-PowerSO - -
PD55008TR

PD55008TR

RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10

STMicroelectronics

9,891 -
PD55008TR

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 17dB 12.5 V 4A - 150 mA 500MHz 8W 40 V - 10-PowerSO - -
PD84006-E

PD84006-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10

STMicroelectronics

9,558 -
PD84006-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 15dB 7.5 V 5A - 150 mA 870MHz 6W 25 V - 10-PowerSO - -
PD85006-E

PD85006-E

RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10

STMicroelectronics

8,118 -
PD85006-E

数据表

- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tube Obsolete LDMOS - 17dB 13.6 V 2A - 200 mA 870MHz 6W 40 V - 10-PowerSO - -
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