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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

RF MOSFET LDMOS 28V 16HTSSOP

Renesas Electronics Corporation

30,892 -
NE55410GR-T3-AZ

数据表

- 16-DFF, Exposed Pad Bulk Obsolete LDMOS - 13.5dB 28 V 250mA, 1A - 20 mA 2.14GHz 35.4dBm 65 V - 16-HTSSOP - -
NE651R479A-T1-A

NE651R479A-T1-A

RF MOSFET HFET 3.5V 79A

Renesas Electronics Corporation

4,840 -
NE651R479A-T1-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 12dB 3.5 V 1A - 50 mA 1.9GHz 27dBm 8 V - 79A - -
3SK318YB-TL-E

3SK318YB-TL-E

RF MOSFET 3.5V CMPAK-4

Renesas Electronics Corporation

4,323 -
3SK318YB-TL-E

数据表

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate 21dB 3.5 V - 1.4dB 10 mA - - 6 V - CMPAK-4 - Surface Mount
3SK324UG-TL-E

3SK324UG-TL-E

RF MOSFET 3.5V CMPAK-4

Renesas Electronics Corporation

3,102 -
3SK324UG-TL-E

数据表

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate 24dB 3.5 V - 1dB 10 mA - - 6 V - CMPAK-4 - Surface Mount
NE5500234-T1-AZ

NE5500234-T1-AZ

RF MOSFET 4.8V SOT89

Renesas Electronics Corporation

2,229 -
NE5500234-T1-AZ

数据表

- TO-243AA Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 4.8 V 1A - 400 mA 1.9GHz 32.5dBm 20 V - SOT-89 - -
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