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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
TBB1002BMTL-H

TBB1002BMTL-H

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

39,000 -
TBB1002BMTL-H

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
TBB1005EMTL-E

TBB1005EMTL-E

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

39,000 -
TBB1005EMTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
TBB1010KMWS-E

TBB1010KMWS-E

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,990 -
TBB1010KMWS-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
NE3510M04-07-T2-A

NE3510M04-07-T2-A

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

62,655 -
NE3510M04-07-T2-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
3SK323UG-TL-E

3SK323UG-TL-E

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

81,000 -
3SK323UG-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
NE3512S02-T1D-A

NE3512S02-T1D-A

RF MOSFET HFET 2V S02

Renesas Electronics Corporation

14,041 -
NE3512S02-T1D-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 13.5dB 2 V 70mA 0.35dB 10 mA 12GHz - 4 V - S02 - -
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

RF MOSFET HFET 2V S02

Renesas Electronics Corporation

4,750 -
NE3512S02-T1C-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 13.5dB 2 V 70mA 0.35dB 10 mA 12GHz - 4 V - S02 - -
NE3505M04-T2-A

NE3505M04-T2-A

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
NE3505M04-T2-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

RF MOSFET HFET 2V S02

Renesas Electronics Corporation

636,266 -
NE3515S02-T1D-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 12.5dB 2 V 88mA 0.3dB 10 mA 12GHz 14dBm 4 V - S02 - -
BB505CES-TL-E

BB505CES-TL-E

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
BB505CES-TL-E

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
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