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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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BB305CEW-TL-E

BB305CEW-TL-E

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

36,000 -
BB305CEW-TL-E

数据表

* - Bulk Not For New Designs - - - - - - - - - - - - - -
NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

RF MOSFET HFET 2V M04

Renesas Electronics Corporation

90,000 -
NE3503M04-T2B-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 12dB 2 V 70mA 0.45dB 10 mA 12GHz - 4 V - M04 - -
NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A

RF MOSFET HFET 2V M04

Renesas Electronics Corporation

28,784 -
NE3503M04-T2-A

数据表

- SOT-343F Bulk Obsolete HFET - 12dB 2 V 70mA 0.45dB 10 mA 12GHz - 4 V - M04 - -
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

RF MOSFET HFET 2V M04

Renesas Electronics Corporation

156,000 -
NE3510M04-T2-A

数据表

- SOT-343F Bulk Obsolete HFET - 16dB 2 V 97mA 0.45dB 15 mA 4GHz - 4 V - M04 - -
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD

Renesas Electronics Corporation

4,755,000 -
NE3513M04-T2B-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete GaAs HJ-FET N-Channel 13dB 2 V 60mA 0.65dB 10 mA 12GHz 125mW 4 V - 4-Super Mini Mold - -
NE3517S03-T1D-A

NE3517S03-T1D-A

RF MOSFET HFET 2V S03

Renesas Electronics Corporation

117,560 -
NE3517S03-T1D-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 13.5dB 2 V 70mA 0.7dB 10 mA 20GHz - 4 V - S03 - -
3SK255-T2-A

3SK255-T2-A

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
3SK255-T2-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
NE5510279A-T1-A

NE5510279A-T1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,961 -
NE5510279A-T1-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Active LDMOS - 16dB 4.8 V 100nA - 300 mA 1.8GHz 2W 20 V - 79A - Surface Mount
2SK3391JX

2SK3391JX

RF MOSFET 13.7V UPAK

Renesas Electronics Corporation

134,038 -
2SK3391JX

数据表

- TO-243AA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 13.7 V 10µA - 150 mA 100MHz ~ 2.5GHz 1.6W 17 V - UPAK - Surface Mount
NE5550779A-T1A-A

NE5550779A-T1A-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

20,035 -
NE5550779A-T1A-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Active LDMOS - 22dB 9 V 2.1A - 140 mA 900MHz 38.5dBm 30 V - 79A - Surface Mount
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