NXP Semiconductors|单个场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 16

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	增益	电压 - 测试	电流额定值（安培）	噪声系数	电流 - 测试	频率	功率 - 输出	额定电压	等级	供应商设备封装	认证	安装类型
A2T21H450W19SR6 RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 NXP Semiconductors	277	-	询价单	数据表	-	NI-1230S-4S4S	Bulk	Obsolete	LDMOS	-	15.7dB	30 V	10µA	-	800 mA	2.11GHz ~ 2.2GHz	89W	65 V	-	NI-1230S-4S4S	-	Chassis Mount
AFT18HW355SR5 RF MOSFET NXP USA Inc.	50	-	询价单	数据表	*	-	Bulk	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF6VP11KGSR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP Semiconductors	1,750	-	询价单	数据表	-	NI-1230-4S GW	Bulk	Obsolete	LDMOS (Dual)	2 N-Channel	26dB	50 V	100µA	-	150 mA	1.8MHz ~ 150MHz	1000W	110 V	-	NI-1230-4S GULL	-	Surface Mount
MRFE6VP8600HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP Semiconductors	890	-	询价单	数据表	-	NI-1230	Bulk	Obsolete	LDMOS	Dual, Common Source	19.3dB	50 V	20µA	-	1.4 A	470MHz ~ 860MHz	600W	130 V	-	NI-1230	-	Chassis Mount
BLC6G27LS-100,118 RF MOSFET NXP Semiconductors	100	-	询价单	数据表	*	-	Bulk	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRFE6S9060NR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 NXP USA Inc.	2	-	询价单	数据表	-	TO-270AA	Tape & Reel (TR)	Active	LDMOS	-	21.1dB	28 V	-	-	450 mA	880MHz	14W	66 V	-	TO-270-2	-	Surface Mount
A3G26D055N-2110 RF MOSFET GAN 48V 6DFN NXP USA Inc.	2	-	询价单	数据表	-	6-LDFN Exposed Pad	Bulk	Active	GaN	-	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	100MHz ~ 2.69GHz	8W	125 V	-	6-PDFN (7x6.5)	-	Surface Mount
MRFE6VP61K25NR6 RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4 NXP USA Inc.	20	-	询价单	数据表	-	OM-1230-4L	Tape & Reel (TR)	Active	LDMOS	Dual	23dB	50 V	-	-	100 mA	230MHz	1250W	133 V	-	OM-1230-4L	-	Surface Mount
AFV121KHR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP USA Inc.	14	-	询价单	数据表	-	SOT-979A	Tape & Reel (TR)	Active	LDMOS	Dual	19.6dB	50 V	-	-	100 mA	960MHz ~ 1.22GHz	1000W	112 V	-	NI-1230-4H	-	Chassis Mount
A2I25D025NR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-17 NXP USA Inc.	36	-	询价单	数据表	-	TO-270-17 Variant, Flat Leads	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	Dual	31.9dB	28 V	-	-	59 mA	2.69GHz	3.2W	65 V	-	TO-270WB-17	-	Surface Mount

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