NXP Semiconductors|单个场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 12

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	增益	电压 - 测试	电流额定值（安培）	噪声系数	电流 - 测试	频率	功率 - 输出	额定电压	等级	供应商设备封装	认证	安装类型
BLF888AS,112 TRANS SOT539B NXP USA Inc.	113	-	询价单	数据表	*	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF5017HSR5 RF MOSFET HEMT 50V NI400 NXP USA Inc.	1	-	询价单	数据表	-	NI-400S-2S	Bulk	Obsolete	HEMT	-	18.4dB	50 V	-	-	200 mA	30MHz ~ 2.2GHz	125W	150 V	-	NI-400S-2S	-	Surface Mount
AFT18P350-4S2LR6 RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 NXP USA Inc.	3,618	-	询价单	数据表	-	NI-1230-4LS2L	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	Dual	16.1dB	28 V	-	-	1 A	1.81GHz	63W	65 V	-	NI-1230-4LS2L	-	Chassis Mount
CLF1G0035-100P RF MOSFET HEMT 50V LDMOST NXP USA Inc.	969	-	询价单	数据表	-	SOT-1228A	Bulk	Active	HEMT	-	12.5dB	50 V	-	-	330 mA	3.5GHz	100W	150 V	-	LDMOST	-	Chassis Mount
BLF888,112 TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT979A NXP USA Inc.	170	-	询价单	数据表	-	SOT-979A	Tube	Active	LDMOS	Dual, Common Source	19dB	50 V	-	-	1.3 A	860MHz	250W	104 V	-	CDFM2	-	Chassis Mount
MRF6VP2600HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP USA Inc.	3,365	-	询价单	数据表	-	NI-1230	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	Dual	25dB	50 V	-	-	2.6 A	225MHz	125W	110 V	-	NI-1230	-	Chassis Mount
MRF6VP11KHR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP USA Inc.	841	-	询价单	数据表	-	NI-1230	Bulk	Active	LDMOS (Dual)	2 N-Channel	26dB	50 V	-	-	6 A	1.8MHz ~ 150MHz	1000W	110 V	-	NI-1230	-	Chassis Mount
MRFE6VP8600HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP USA Inc.	28	-	询价单	数据表	-	NI-1230	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	Dual	19.3dB	50 V	-	-	1.4 A	860MHz	125W	130 V	-	NI-1230	-	Chassis Mount
BLA1011S-200,112 RF MOSFET LDMOS 36V SOT502B NXP USA Inc.	48	-	询价单	数据表	-	SOT-502B	Bulk	Obsolete	LDMOS	-	13dB	36 V	-	-	150 mA	1.03GHz ~ 1.09GHz	200W	75 V	-	SOT502B	-	Chassis Mount
MRFE6P3300HR3 RF MOSFET LDMOS 32V NI860C3 NXP USA Inc.	8,249	-	询价单	数据表	-	NI-860C3	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	-	20.4dB	32 V	-	-	1.6 A	857MHz ~ 863MHz	270W	66 V	-	NI-860C3	-	Chassis Mount

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