NXP Semiconductors|单个场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 18

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	增益	电压 - 测试	电流额定值（安培）	噪声系数	电流 - 测试	频率	功率 - 输出	额定电压	等级	供应商设备封装	认证	安装类型
BLF7G24LS-160P,112 RF MOSFET LDMOS 28V SOT539B NXP USA Inc.	10	-	询价单	数据表	-	SOT539B	Tube	Active	LDMOS	Dual, Common Source	18.5dB	28 V	-	-	1.2 A	2.3GHz ~ 2.4GHz	30W	65 V	-	SOT539B	-	-
BLF7G24L-160P,112 RF MOSFET LDMOS 28V SOT539A NXP USA Inc.	10	-	询价单	数据表	-	SOT-539A	Tube	Obsolete	LDMOS	Dual, Common Source	18.5dB	28 V	-	-	1.2 A	2.3GHz ~ 2.4GHz	30W	65 V	-	SOT539A	-	Chassis Mount
BLF2425M7LS140,112 RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B NXP USA Inc.	6	-	询价单	数据表	-	SOT-502B	Tube	Active	LDMOS	-	18.5dB	28 V	-	-	1.3 A	2.45GHz	140W	65 V	-	SOT502B	-	-
MRF24G300HSR5 RF MOSFET GAN 48V NI780 NXP USA Inc.	16	-	询价单	数据表	-	NI-780S-4L	Tape & Reel (TR)	Obsolete	GaN	2 N-Channel (Dual)	15.3dB	48 V	-	-	-	2.4GHz ~ 2.5GHz	300W	125 V	-	NI-780S-4L	-	Surface Mount
BLF888BS,112 RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B NXP Semiconductors	15	-	询价单	数据表	-	SOT-539B	Bulk	Active	LDMOS (Dual), Common Source	2 N-Channel	21dB	50 V	2.8µA	-	1.3 A	470MHz ~ 860MHz	650W	104 V	-	SOT539B	-	Chassis Mount
BLL6H1214L-250,112 TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOT502A NXP USA Inc.	3	-	询价单	数据表	*	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BLA1011S-200R,112 RF MOSFET LDMOS 36V SOT502B NXP USA Inc.	20	-	询价单	数据表	-	SOT-502B	Bulk	Obsolete	LDMOS	-	13dB	36 V	-	-	150 mA	1.03GHz ~ 1.09GHz	200W	75 V	-	SOT502B	-	Chassis Mount
BLF988S,112 RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B NXP USA Inc.	20	-	询价单	数据表	-	SOT539B	Tube	Active	LDMOS	Dual, Common Source	20.8dB	50 V	-	-	1.3 A	860MHz	250W	110 V	-	SOT539B	-	-
BLA6H1011-600,112 TRANS AVIONICS PWR LDMOS SOT539A NXP USA Inc.	10	-	询价单	数据表	*	-	Tube	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MRF6VP21KHR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 NXP USA Inc.	3	-	询价单	数据表	-	NI-1230	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	Dual	24dB	50 V	-	-	150 mA	225MHz	1000W	110 V	-	NI-1230	-	Chassis Mount

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