富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
EPC2016

EPC2016

GANFET N-CH 100V 11A DIE

EPC

2,747 -
EPC2016

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 11A (Ta) 5V 16mOhm @ 11A, 5V Surface Mount 2.5V @ 3mA 5.2 nC @ 5 V 100 V +6V, -5V 520 pF @ 50 V - - Die - - -40°C ~ 125°C (TJ)
EPC2018

EPC2018

GANFET N-CH 150V 12A DIE

EPC

4,747 -
EPC2018

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V Surface Mount 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V 150 V +6V, -5V 540 pF @ 100 V - - Die - - -40°C ~ 125°C (TJ)
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

GANFET NCH 40V 31A DIE

EPC

6,032 -
EPC2030ENGRT

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 31A (Ta) 5V 2.4mOhm @ 30A, 5V Surface Mount 2.5V @ 16mA 18 nC @ 5 V 40 V +6V, -4V 1900 pF @ 20 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

GANFET NCH 60V 31A DIE

EPC

8,440 -
EPC2031ENGRT

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 31A (Ta) 5V 2.6mOhm @ 30A, 5V Surface Mount 2.5V @ 15mA 17 nC @ 5 V 60 V +6V, -4V 1800 pF @ 300 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
共 24 条记录«上一页123下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户