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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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EPC2302ENGRT

EPC2302ENGRT

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

EPC

2,597 -
EPC2302ENGRT

数据表

eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 101A (Ta) 5V 1.8mOhm @ 50A, 5V Surface Mount 2.5V @ 14mA 23 nC @ 5 V 100 V +6V, -4V 3200 pF @ 50 V - - 7-QFN (3x5) - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2305ENGRT

EPC2305ENGRT

TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN

EPC

9,393 -
EPC2305ENGRT

数据表

- 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 80A (Ta) 5V 2.2mOhm @ 30A, 5V Surface Mount 2.5V @ 11mA 21 nC @ 5 V 150 V 6V 2900 pF @ 75 V - - 7-QFN (3x5) - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2304ENGRT

EPC2304ENGRT

TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN

EPC

1,141 -
EPC2304ENGRT

数据表

eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 102A (Ta) 5V 3.1mOhm @ 32A, 5V Surface Mount 2.5V @ 8mA 24 nC @ 5 V 200 V +6V, -4V 3195 pF @ 100 V - - 7-QFN (3x5) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
EPC2361ENGRT

EPC2361ENGRT

TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN

EPC

9,316 -
EPC2361ENGRT

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
EPC2001

EPC2001

GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE

EPC

3,682 -
EPC2001

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 25A (Ta) 5V 7mOhm @ 25A, 5V Surface Mount 2.5V @ 5mA 10 nC @ 5 V 100 V +6V, -5V 950 pF @ 50 V - - Die - - -40°C ~ 125°C (TJ)
EPC2010

EPC2010

GANFET N-CH 200V 12A DIE

EPC

9,605 -
EPC2010

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V Surface Mount 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V 200 V +6V, -4V 540 pF @ 100 V - - Die - - -40°C ~ 125°C (TJ)
EPC2012

EPC2012

GANFET N-CH 200V 3A DIE

EPC

2,980 -
EPC2012

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 3A (Ta) 5V 100mOhm @ 3A, 5V Surface Mount 2.5V @ 1mA 1.8 nC @ 5 V 200 V +6V, -5V 145 pF @ 100 V - - Die - - -40°C ~ 125°C (TJ)
EPC2014

EPC2014

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

EPC

8,087 -
EPC2014

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 10A (Ta) 5V 16mOhm @ 5A, 5V Surface Mount 2.5V @ 2mA 2.8 nC @ 5 V 40 V +6V, -5V 325 pF @ 20 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2015

EPC2015

GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE

EPC

5,496 -
EPC2015

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 33A (Ta) 5V 4mOhm @ 33A, 5V Surface Mount 2.5V @ 9mA 11.6 nC @ 5 V 40 V +6V, -5V 1200 pF @ 20 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2304

EPC2304

TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN

EPC

2,787 -
EPC2304

数据表

eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 102A (Ta) 5V 3.1mOhm @ 32A, 5V Surface Mount 2.5V @ 8mA 24 nC @ 5 V 200 V +6V, -4V 3195 pF @ 100 V - - 7-QFN (3x5) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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