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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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EPC2007

EPC2007

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

EPC

2,121 -
EPC2007

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 6A (Ta) 5V 30mOhm @ 6A, 5V Surface Mount 2.5V @ 1.2mA 2.8 nC @ 5 V 100 V +6V, -5V 205 pF @ 50 V - - Die - - -40°C ~ 125°C (TJ)
EPC2307

EPC2307

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

EPC

2,839 -
EPC2307

数据表

eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 48A (Ta) 5V 10mOhm @ 16A, 5V Surface Mount 2.5V @ 4mA 10.6 nC @ 5 V 200 V +6V, -4V 1401 pF @ 100 V - - 7-QFN (3x5) - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2308

EPC2308

TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN

EPC

8,791 -
EPC2308

数据表

eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 48A (Ta) 5V 6mOhm @ 15A, 5V Surface Mount 2.5V @ 5mA 13.8 nC @ 5 V 150 V +6V, -4V 2103 pF @ 75 V - - 7-QFN (3x5) - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2069

EPC2069

GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE

EPC

7,700 -
EPC2069

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) - - - - - - 40 V +6V, -4V - - - - - - -
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

GANFET N-CH 40V 16A DIE

EPC

8,014 -
EPC2049ENGRT

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 16A (Ta) 5V 5mOhm @ 15A, 5V Surface Mount 2.5V @ 6mA 7.6 nC @ 5 V 40 V +6V, -4V 805 pF @ 20 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2030

EPC2030

GANFET NCH 40V 31A DIE

EPC

2,938 -
EPC2030

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 31A (Ta) - 2.4mOhm @ 30A, 5V Surface Mount 2.5V @ 16mA 18 nC @ 5 V 40 V - 1900 pF @ 20 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2025

EPC2025

GANFET N-CH 300V 4A DIE

EPC

5,780 -
EPC2025

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 4A (Ta) 5V 150mOhm @ 3A, 5V Surface Mount 2.5V @ 1mA - 300 V +6V, -4V 194 pF @ 240 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2619ENGRT

EPC2619ENGRT

TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA

EPC

9,667 -
EPC2619ENGRT

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 29A (Ta) 5V 3.3mOhm @ 16A, 5V Surface Mount 2.5V @ 5.5mA 8.3 nC @ 5 V 100 V +6V, -4V 1180 pF @ 50 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2021ENGR

EPC2021ENGR

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

EPC

9,924 -
EPC2021ENGR

数据表

eGaN® Die Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 60A (Ta) 5V 2.5mOhm @ 29A, 5V Surface Mount 2.5V @ 14mA 15 nC @ 5 V 80 V +6V, -4V 1700 pF @ 40 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
EPC2034

EPC2034

GANFET N-CH 200V 48A DIE

EPC

6,488 -
EPC2034

数据表

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 48A (Ta) 5V 10mOhm @ 20A, 5V Surface Mount 2.5V @ 7mA 8.8 nC @ 5 V 200 V +6V, -4V 950 pF @ 100 V - - Die - - -40°C ~ 150°C (TJ)
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