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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CTLDM8002A-M621 TR

CTLDM8002A-M621 TR

MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621

Central Semiconductor Corp

7,906 -
CTLDM8002A-M621 TR

数据表

- 6-PowerVFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 280mA (Ta) 5V, 10V 2.5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 0.72 nC @ 4.5 V 50 V 20V 70 pF @ 25 V - - TLM621 - 900mW (Ta) -65°C ~ 150°C (TJ)
CTLDM8002A-M621H BK

CTLDM8002A-M621H BK

MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621H

Central Semiconductor Corp

5,737 -
CTLDM8002A-M621H BK

数据表

- 6-XFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 280mA (Ta) 5V, 10V 2.5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 0.72 nC @ 4.5 V 50 V 20V 70 pF @ 25 V - - TLM621H - 1.6W (Ta) -65°C ~ 150°C (TJ)
CZDM1003N BK

CZDM1003N BK

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

Central Semiconductor Corp

2,260 -
CZDM1003N BK

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 10V 150mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V 100 V 20V 975 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CEDM8001VL TR PBFREE

CEDM8001VL TR PBFREE

MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883VL

Central Semiconductor Corp

3,787 -
CEDM8001VL TR PBFREE

数据表

- SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) 1.5V, 4V 8Ohm @ 10mA, 4V Surface Mount 1.1V @ 250µA 0.66 nC @ 4.5 V 20 V 10V 45 pF @ 3 V - - SOT-883VL - 100mW (Ta) -65°C ~ 150°C (TJ)
CP398X-CPDM303NH-CT

CP398X-CPDM303NH-CT

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

8,484 -
CP398X-CPDM303NH-CT

数据表

- Die Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP398X-CPDM303NH-WN

CP398X-CPDM303NH-WN

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

2,977 -
CP398X-CPDM303NH-WN

数据表

- Die Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP398X-CTLDM303N-WN

CP398X-CTLDM303N-WN

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

3,432 -
CP398X-CTLDM303N-WN

数据表

- Die Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP373-CMPDM303-CT20

CP373-CMPDM303-CT20

MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

Central Semiconductor Corp

6,231 -
CP373-CMPDM303-CT20

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
CP373-CMPDM303NH-CT

CP373-CMPDM303NH-CT

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

2,859 -
CP373-CMPDM303NH-CT

数据表

- Die Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP373-CMPDM303NH-WN

CP373-CMPDM303NH-WN

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

9,603 -
CP373-CMPDM303NH-WN

数据表

- Die Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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