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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
CP775-CWDM3011P-CM

CP775-CWDM3011P-CM

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Central Semiconductor Corp

9,103 -
CP775-CWDM3011P-CM

数据表

- Die Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V 30 V ±20V 3100 pF @ 8 V - - Die - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CP775-CWDM3011P-WN

CP775-CWDM3011P-WN

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Central Semiconductor Corp

6,431 -
CP775-CWDM3011P-WN

数据表

- Die Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V 30 V ±20V 3100 pF @ 8 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP802-CWDM3011P-CT

CP802-CWDM3011P-CT

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Central Semiconductor Corp

2,845 -
CP802-CWDM3011P-CT

数据表

- Die Tray Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V 30 V ±20V 3100 pF @ 8 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP775-CWDM3011P-CT

CP775-CWDM3011P-CT

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Central Semiconductor Corp

8,935 -
CP775-CWDM3011P-CT

数据表

- Die Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V 30 V ±20V 3100 pF @ 8 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP802-CWDM3011P-CM

CP802-CWDM3011P-CM

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

Central Semiconductor Corp

2,139 -
CP802-CWDM3011P-CM

数据表

- Die Tray Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V 30 V ±20V 3100 pF @ 8 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP771-CXDM4060P-WN

CP771-CXDM4060P-WN

MOSFET P-CH 40V 6A DIE

Central Semiconductor Corp

5,891 -
CP771-CXDM4060P-WN

数据表

- Die Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) - 65mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 6.5 nC @ 4.5 V 40 V ±25V 750 pF @ 25 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP771-CXDM4060P-CT

CP771-CXDM4060P-CT

MOSFET P-CH 40V 6A DIE

Central Semiconductor Corp

5,038 -
CP771-CXDM4060P-CT

数据表

- Die Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) - 65mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 6.5 nC @ 4.5 V 40 V ±25V 750 pF @ 25 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CEN1235 BK

CEN1235 BK

DIODE LOW LEAKAGE 12V SMD

Central Semiconductor Corp

7,752 -
CEN1235 BK

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
CDM2206-800LR

CDM2206-800LR

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

Central Semiconductor Corp

8,724 -
CDM2206-800LR

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 950mOhm @ 3A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 24.3 nC @ 10 V 800 V 30V 474.7 pF @ 100 V - - TO-220-3 - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CP375-CWDM3011N-WN

CP375-CWDM3011N-WN

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

Central Semiconductor Corp

4,724 -
CP375-CWDM3011N-WN

数据表

- Die Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 6.3 nC @ 5 V 30 V ±20V 860 pF @ 15 V - - Die - 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ)
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