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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CP373-CTLDM303N-CT

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MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

5,437 -
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数据表

- Die Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP373-CTLDM303N-WN

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MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE

Central Semiconductor Corp

4,378 -
CP373-CTLDM303N-WN

数据表

- Die Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 1.8A, 2.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V 12V 590 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP798X-CPDM302PH-CT

CP798X-CPDM302PH-CT

MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE

Central Semiconductor Corp

2,762 -
CP798X-CPDM302PH-CT

数据表

- Die Tray Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 9.6 nC @ 5 V 30 V 12V 800 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP798X-CPDM302PH-WN

CP798X-CPDM302PH-WN

MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE

Central Semiconductor Corp

9,075 -
CP798X-CPDM302PH-WN

数据表

- Die Tray Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 9.6 nC @ 5 V 30 V 12V 800 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP773-CMPDM302PH-CT

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MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE

Central Semiconductor Corp

3,086 -
CP773-CMPDM302PH-CT

数据表

- Die Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 9.6 nC @ 5 V 30 V 12V 800 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
CP773-CMPDM302PH-WN

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MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE

Central Semiconductor Corp

2,207 -
CP773-CMPDM302PH-WN

数据表

- Die Tray Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 9.6 nC @ 5 V 30 V 12V 800 pF @ 10 V - - Die - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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