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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTN79N20

IXTN79N20

MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

IXYS

7,235 -
IXTN79N20

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 85A (Tc) - - Chassis Mount 4V @ 20mA - 200 V - - - - SOT-227B - 400W (Tc) -
IXFL44N80

IXFL44N80

MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264

IXYS

7,001 -
IXFL44N80

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) 10V 165mOhm @ 22A, 10V Through Hole 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V 800 V ±20V 10000 pF @ 25 V - - ISOPLUS264™ - 550W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTZ550N055T2

IXTZ550N055T2

MOSFET N-CH 55V 550A DE475

IXYS

6,982 -
IXTZ550N055T2

数据表

TrenchT2™ 6-SMD, Flat Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 595 nC @ 10 V 55 V ±20V 40000 pF @ 25 V - - DE475 - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXFN24N100F

IXFN24N100F

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

IXYS

3,909 -
IXFN24N100F

数据表

HiPerRF™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V Chassis Mount 5.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V 1000 V ±20V 6600 pF @ 25 V - - SOT-227B - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN170N10

IXFN170N10

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

IXYS

4,597 -
IXFN170N10

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170A (Tc) 10V 10mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 8mA 515 nC @ 10 V 100 V ±20V 10300 pF @ 25 V - - SOT-227B - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN120N20

IXFN120N20

MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

IXYS

7,642 -
IXFN120N20

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 17mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V 200 V ±20V 9100 pF @ 25 V - - SOT-227B - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MKE38RK600DFEL-TUB

MKE38RK600DFEL-TUB

MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

IXYS

3,475 -
MKE38RK600DFEL-TUB

数据表

CoolMOS™ 9-SMD Module Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V Surface Mount 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V 600 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - ISOPLUS-SMPD™.B - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

IXYS

7,745 -
IXFN70N60Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 80mOhm @ 35A, 10V Chassis Mount 5V @ 8mA 265 nC @ 10 V 600 V ±30V 7200 pF @ 25 V - - SOT-227B - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH20N50D

IXTH20N50D

MOSFET N-CH 500V 20A TO247

IXYS

6,778 -
IXTH20N50D

数据表

Depletion TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 10A, 10V Through Hole - 125 nC @ 10 V 500 V ±30V 2500 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTN660N04T4

IXTN660N04T4

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

IXYS

9,486 -
IXTN660N04T4

数据表

Trench SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 660A (Tc) 10V 0.85mOhm @ 100A, 10V Chassis Mount 4V @ 250µA 860 nC @ 10 V 40 V ±15V 44000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 1040W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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