富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IXFE48N50QD2

IXFE48N50QD2

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

IXYS

4,737 -
IXFE48N50QD2

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 41A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V Chassis Mount 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 8000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFE48N50QD3

IXFE48N50QD3

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

IXYS

5,150 -
IXFE48N50QD3

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 41A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V Chassis Mount 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 8000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFL30N120P

IXFL30N120P

MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK

IXYS

4,520 -
IXFL30N120P

数据表

HiPerFET™, Polar ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 380mOhm @ 15A, 10V Through Hole 6.5V @ 1mA 310 nC @ 10 V 1200 V ±30V 19000 pF @ 25 V - - ISOPLUSi5-Pak™ - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFE44N50QD2

IXFE44N50QD2

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

IXYS

9,114 -
IXFE44N50QD2

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 39A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V Chassis Mount 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 8000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFE44N50QD3

IXFE44N50QD3

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

IXYS

6,011 -
IXFE44N50QD3

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 39A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V Chassis Mount 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 8000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IXTF6N200P3

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC

IXYS

8,712 -
IXTF6N200P3

数据表

Polar P3™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 4.2Ohm @ 3A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V 2000 V ±20V 3700 pF @ 25 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFL40N110P

IXFL40N110P

MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264

IXYS

6,970 -
IXFL40N110P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 280mOhm @ 20A, 10V Through Hole 6.5V @ 1mA 310 nC @ 10 V 1100 V ±30V 19000 pF @ 25 V - - ISOPLUS264™ - - -
IXFN340N06

IXFN340N06

MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

IXYS

7,843 -
IXFN340N06

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 340A (Tc) 10V 3mOhm @ 100A, 10V Chassis Mount 4V @ 8mA 600 nC @ 10 V 60 V ±20V 16800 pF @ 25 V - - SOT-227B - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

IXYS

4,377 -
IXFN72N55Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 72A (Tc) 10V 72mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 5V @ 8mA 258 nC @ 10 V 550 V ±30V 10500 pF @ 25 V - - SOT-227B - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFE180N20

IXFE180N20

MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B

IXYS

7,673 -
IXFE180N20

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 158A (Tc) 10V 12mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V 200 V ±20V 14400 pF @ 25 V - - SOT-227B - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
共 1116 条记录«上一页1... 5758596061626364...112下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户