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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2SK3746

2SK3746

N-CHANNEL MOSFET

Sanyo

3,069 -
2SK3746

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 10V 13Ohm @ 1A, 10V Through Hole - 37.5 nC @ 10 V 1500 V ±20V 380 pF @ 30 V - - TO-3PB - 2.5W (Ta), 110W (Tc) 150°C (TJ)
2SJ413-TH

2SJ413-TH

MOSFET P-CH

Sanyo

12,245 -
2SJ413-TH

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ418-TL-E-SY

2SJ418-TL-E-SY

MOSFET P-CH 30V

Sanyo

5,600 -
2SJ418-TL-E-SY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3706-MG5

2SK3706-MG5

MOSFET FOR 100V MOTOR DRIVER

Sanyo

11,700 -
2SK3706-MG5

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCH3322-EBM-TL-E

MCH3322-EBM-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN

Sanyo

39,000 -
MCH3322-EBM-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH6604-TL-E

CPH6604-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

2,769 -
CPH6604-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3331-TL-E

CPH3331-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN

Sanyo

2,791 -
CPH3331-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3439-TL-E

CPH3439-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

2,000 -
CPH3439-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P

Sanyo

24,000 -
MCH6337-TL-E

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 49mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 1mA 7.3 nC @ 4.5 V 20 V ±10V 670 pF @ 10 V - - SC-88FL/MCPH6 - 1.5W (Ta) 150°C (TJ)
CPH6603-TL-E

CPH6603-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET ULTRAHI

Sanyo

3,018 -
CPH6603-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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