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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CPH6414-TL-E

CPH6414-TL-E

GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE

Sanyo

3,000 -
CPH6414-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3486-TD-E

2SK3486-TD-E

2SK3486 - N-CHANNEL SILICON MOSF

Sanyo

80,723 -
2SK3486-TD-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ646-TL-E

2SJ646-TL-E

2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

Sanyo

8,400 -
2SJ646-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3431-TL-E

CPH3431-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN

Sanyo

207,000 -
CPH3431-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ670-TD-E

2SJ670-TD-E

2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

Sanyo

3,361 -
2SJ670-TD-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
ECH8607-TL-E

ECH8607-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

2,801 -
ECH8607-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2628LS

2SK2628LS

2SK2628 - N-CHANNEL SILICON MOSF

Sanyo

3,166 -
2SK2628LS

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ403

2SJ403

2SJ403 - J-II (EXISTING TYPE), 2

Sanyo

1,552 -
2SJ403

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FW238-NMM-TL-E

FW238-NMM-TL-E

FW238 - N-CHANNEL SILICON MOS FE

Sanyo

3,000 -
FW238-NMM-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3278-E

2SK3278-E

2SK3278 - N-CHANNEL SILICON MOSF

Sanyo

1,998 -
2SK3278-E

数据表

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