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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SCH1406-TL-E

SCH1406-TL-E

MOSFET N-CH

Sanyo

10,000 -
SCH1406-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6635-TL-E

MCH6635-TL-E

MOSFET P-CH

Sanyo

84,000 -
MCH6635-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
5LN01SS-TL-E

5LN01SS-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

7,970 -
5LN01SS-TL-E

数据表

- SC-81 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) 1.5V, 4V 7.8Ohm @ 50mA, 4V Surface Mount - 1.57 nC @ 10 V 50 V ±10V 6600 pF @ 10 V - - 3-SSFP - 150mW (Ta) 150°C (TJ)
SCH1402-S-TL-E-SY

SCH1402-S-TL-E-SY

MOSFET N-CH

Sanyo

585,000 -
SCH1402-S-TL-E-SY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
5HN01M-TL-E-SA

5HN01M-TL-E-SA

MOSFET N-CH 50V 100MA MCP

Sanyo

246,000 -
5HN01M-TL-E-SA

数据表

- SC-70, SOT-323 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) - 7.5Ohm @ 50mA, 10V Surface Mount 2.4V @ 100µA 1.4 nC @ 10 V 50 V ±20V 6200 pF @ 10 V - - MCP - 150mW (Ta) 150°C
5HN02N

5HN02N

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

37,500 -
5HN02N

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
3LP03M-TL-E

3LP03M-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

6,000 -
3LP03M-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6627-TL-E

MCH6627-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

519,000 -
MCH6627-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CPH3314-TL-E

CPH3314-TL-E

MOSFET P-CH

Sanyo

468,010 -
CPH3314-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MCH5802-TL-E

MCH5802-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET

Sanyo

57,000 -
MCH5802-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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