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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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E3M0060065K

E3M0060065K

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

Wolfspeed, Inc.

450 -
E3M0060065K

数据表

- TO-247-4 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 37A (Tc) 15V 79mOhm @ 13.2A, 15V Through Hole 3.6V @ 3.6mA 49 nC @ 15 V 650 V +19V, -8V 1170 pF @ 600 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 131W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
C3M0045065D

C3M0045065D

GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

Wolfspeed, Inc.

454 -
C3M0045065D

数据表

C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 49A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V Through Hole 3.6V @ 4.84mA 63 nC @ 15 V 650 V +19V, -8V 1621 pF @ 600 V - - TO-247-3 - 176W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
C3M0075120K-A

C3M0075120K-A

75M 1200V 175C SIC FET

Wolfspeed, Inc.

299 -
C3M0075120K-A

数据表

C3M™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V Through Hole 3.6V @ 5mA 53 nC @ 15 V 1200 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - - TO-247-4L - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
C3M0065100J

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SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Wolfspeed, Inc.

1,780 -
C3M0065100J

数据表

C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 20A, 15V Surface Mount 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V 1000 V +15V, -4V 660 pF @ 600 V - - D2PAK-7 - 113.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
C3M0032120D

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SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

224 -
C3M0032120D

数据表

C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 63A (Tc) 15V 43mOhm @ 40A, 15V Through Hole 3.6V @ 11.5mA 114 nC @ 15 V 1200 V +15V, -4V 3357 pF @ 1000 V - - TO-247-3 - 283W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
E3M0280090D

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SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

6,442 -
E3M0280090D

数据表

E-Series TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 11.5A (Tc) 15V 364mOhm @ 7.5A, 15V Through Hole 3.5V @ 1.2mA 9.5 nC @ 15 V 900 V +18V, -8V 150 pF @ 600 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
E3M0120090D

E3M0120090D

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

7,765 -
E3M0120090D

数据表

E-Series TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 23A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V Through Hole 3.5V @ 3mA 17.3 nC @ 15 V 900 V +18V, -8V 350 pF @ 600 V - - TO-247-3 Automotive 97W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
E3M0065090D

E3M0065090D

SICFET N-CH 900V 35A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

4,352 -
E3M0065090D

数据表

E-Series TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 35A (Tc) 15V 84.5mOhm @ 20A, 15V Through Hole 3.5V @ 5mA 30.4 nC @ 15 V 900 V +18V, -8V 660 pF @ 600 V - - TO-247-3 Automotive 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
C3M0021120J2-TR

C3M0021120J2-TR

MOSFET 1200V TO247

Wolfspeed, Inc.

4,909 -
C3M0021120J2-TR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active - - - - - Surface Mount - - - - - - - TO-263-7 - - -
C2M0080170P

C2M0080170P

SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4

Wolfspeed, Inc.

3,763 -
C2M0080170P

数据表

C2M™ TO-247-4 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 40A (Tc) 20V 125mOhm @ 28A, 20V Through Hole 4V @ 10mA 120 nC @ 20 V 1700 V +25V, -10V 2250 pF @ 1000 V - - TO-247-4L - 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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