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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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C3M00160120D

C3M00160120D

SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I

Wolfspeed, Inc.

8,663 -
C3M00160120D

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
C3M0900170D

C3M0900170D

SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

2,164 -
C3M0900170D

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 6.3A - - Through Hole - - 1700 V - - - - TO-247-3 - - 175°C (TJ)
C3M0900170J-TR

C3M0900170J-TR

SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7

Wolfspeed, Inc.

6,829 -
C3M0900170J-TR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 6.3A - - Surface Mount - - 1700 V - - - - TO-263-7 - - 175°C (TJ)
C3M0900170J

C3M0900170J

SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK

Wolfspeed, Inc.

9,653 -
C3M0900170J

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 6.3A - - Surface Mount - - 1700 V - - - - TO-263-7 - - 175°C (TJ)
E3M0120090J

E3M0120090J

900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET

Wolfspeed, Inc.

502 -
E3M0120090J

数据表

E-Series TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V Surface Mount 3.5V @ 3mA 18 nC @ 15 V 900 V +15V, -4V 414 pF @ 600 V - - TO-263-7 Automotive 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
E3M0060065D

E3M0060065D

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

Wolfspeed, Inc.

343 -
E3M0060065D

数据表

- TO-247-3 Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 37A (Tc) 15V 79mOhm @ 13.2A, 15V Through Hole 3.6V @ 3.6mA 46 nC @ 15 V 650 V +19V, -8V 1170 pF @ 600 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 131W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
C3M0075120D-A

C3M0075120D-A

75M 1200V 175C SIC FET

Wolfspeed, Inc.

379 -
C3M0075120D-A

数据表

C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V Through Hole 3.6V @ 5mA 54 nC @ 15 V 1200 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - - TO-247-3 - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
C3M0040120J1-TR

C3M0040120J1-TR

1200V 40 M SIC MOSFET

Wolfspeed, Inc.

1,382 -
C3M0040120J1-TR

数据表

C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 64A (Tc) 15V 53.5mOhm @ 33.3A, 15V Surface Mount 3.6V @ 9.2mA 94 nC @ 15 V 1200 V +15V, -4V 2900 pF @ 1000 V - - TO-263-7 - 272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
C3M0350120J-TR

C3M0350120J-TR

SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-

Wolfspeed, Inc.

777 -
C3M0350120J-TR

数据表

C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 7.2A (Tc) 15V 455mOhm @ 3.6A, 15V Surface Mount 3.6V @ 1mA 13 nC @ 15 V 1200 V +15V, -4V 345 pF @ 1000 V - - TO-263-7 - 40.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
E4M0060075K1

E4M0060075K1

MOSFETS AUTOMOTIVE 126W 3.8V NC

Wolfspeed, Inc.

440 -
E4M0060075K1

数据表

E TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 13.4A, 15V Through Hole 3.8V @ 3.67mA 52 nC @ 15 V 750 V +19V, -8V 1203 pF @ 500 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 126W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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