富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,911 -
SI7356ADP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 145 nC @ 10 V 30 V ±20V 6215 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7370ADP-T1-GE3

SI7370ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,881 -
SI7370ADP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 6V, 10V 10mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 60 V ±20V 2850 pF @ 30 V - - PowerPAK® SO-8 - 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7380ADP-T1-E3

SI7380ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

9,675 -
SI7380ADP-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 185 nC @ 10 V 30 V ±12V 7785 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7380ADP-T1-GE3

SI7380ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

4,731 -
SI7380ADP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 185 nC @ 10 V 30 V ±12V 7785 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7382DP-T1-GE3

SI7382DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

8,632 -
SI7382DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 24A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7384DP-T1-GE3

SI7384DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,967 -
SI7384DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 18A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7388DP-T1-E3

SI7388DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,940 -
SI7388DP-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 24 nC @ 5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7388DP-T1-GE3

SI7388DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,799 -
SI7388DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 24 nC @ 5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7392DP-T1-E3

SI7392DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

8,178 -
SI7392DP-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 4.5V, 10V 9.75mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7392DP-T1-GE3

SI7392DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,490 -
SI7392DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 4.5V, 10V 9.75mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V 30 V ±20V - - - PowerPAK® SO-8 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户