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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDP045N10A

FDP045N10A

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

UMW

982 -
FDP045N10A

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDP8860

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220

UMW

1,000 -
FDP8860

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP072N10N3G

IPP072N10N3G

MOSFET N-CH 100V 80A TO220

UMW

976 -
IPP072N10N3G

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPB027N10N3G

IPB027N10N3G

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

UMW

766 -
IPB027N10N3G

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPB065N10N3G

IPB065N10N3G

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

UMW

797 -
IPB065N10N3G

数据表

* TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 3.5V @ 90µA - 100 V ±20V - - - TO-263 (D2PAK) - 150W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
IPD068N10N3G

IPD068N10N3G

MOSFET N-CH 100V 90A DPAK

UMW

2,490 -
IPD068N10N3G

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDN361BN

FDN361BN

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23

UMW

690 -
FDN361BN

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF9Z24N

IRF9Z24N

MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB

UMW

1,000 -
IRF9Z24N

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
4N65F

4N65F

MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

UMW

987 -
4N65F

数据表

* TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA - 650 V ±30V - - - TO-220F-3 - 33W (Tc) 150°C (TJ)
IRF9Z34N

IRF9Z34N

MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

UMW

917 -
IRF9Z34N

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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