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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IRF4905

IRF4905

MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB

UMW

305 -
IRF4905

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQP27P06

FQP27P06

MOSFET P-CH 60V 27A TO220

UMW

1,000 -
FQP27P06

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQP47P06

FQP47P06

MOSFET P-CH 60V 47A TO220

UMW

845 -
FQP47P06

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO4485

AO4485

SOP-8 MOSFETS ROHS

UMW

1,697 -
AO4485

数据表

UMW 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V 40 V ±20V 3000 pF @ 20 V - - 8-SOP - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IPB015N04NG

IPB015N04NG

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

UMW

795 -
IPB015N04NG

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STD15NF10L

STD15NF10L

TO-252 MOSFETS ROHS

UMW

2,380 -
STD15NF10L

数据表

UMW TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 26.2 nC @ 10 V 100 V ±20V 1535 pF @ 15 V - - TO-252 (DPAK) - 2W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF4905STRL

IRF4905STRL

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

UMW

2,500 -
IRF4905STRL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 180 nC @ 10 V 55 V ±20V 3500 pF @ 25 V - - TO-263-3 - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

MOSFET N-CH 100V 76A TO220

UMW

1,000 -
FDP8D5N10C

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPD50P04P4L11

IPD50P04P4L11

MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

UMW

2,400 -
IPD50P04P4L11

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPD082N10N3G

IPD082N10N3G

MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

UMW

2,500 -
IPD082N10N3G

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 6V, 10V 8.2mOhm @ 73A, 10V Surface Mount 3.5V @ 75µA - 100 V ±20V - - - TO-252 (DPAK) - 125W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
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