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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFR5505TR

IRFR5505TR

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

UMW

2,500 -
IRFR5505TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4804NT4G

NTD4804NT4G

MOSFET N-CH 30V 124A DPAK

UMW

2,500 -
NTD4804NT4G

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SPD30P06PG

SPD30P06PG

MOSFET P-CH 60V 30A DPAK

UMW

2,490 -
SPD30P06PG

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO4459

AO4459

SOP-8 MOSFETS ROHS

UMW

2,701 -
AO4459

数据表

UMW 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 42mOhm @ 6.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V 30 V ±20V 520 pF @ 15 V - - 8-SOP - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF9328TR

IRF9328TR

MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

UMW

3,000 -
IRF9328TR

数据表

* 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 11.9mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.4V @ 25µA - 30 V ±20V - - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ)
IRLR2905TR

IRLR2905TR

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

UMW

2,500 -
IRLR2905TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

UMW

2,500 -
FQD13N10LTM

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFR3910TR

IRFR3910TR

MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

UMW

2,500 -
IRFR3910TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD20N03L27T4G

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

UMW

2,497 -
NTD20N03L27T4G

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDD8880

FDD8880

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

UMW

2,485 -
FDD8880

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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